STマイクロエレクトロニクス、小型・高効率の産業用電源の設計期間を短縮する250WのMasterGaNリファレンス設計を発表

堅牢なGaNベースの共振型コンバータと同期整流により94%以上のピーク効率を実現




STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、システム・イン・パッケージ（SiP）の「MasterGaN1L」を搭載した共振型コンバータのリファレンス設計「EVL250WMG1L」を発表しました。このリファレンス設計は、優れた効率と電力密度を実現するGaN（窒化ガリウム）電源の設計期間を短縮します。

STのMasterGaNシリーズのSiPには、GaNパワー・トランジスタと、完全制御の高速スイッチング用に最適化されたゲート・ドライバが集積されています。ディスクリート部品で構成される同等の回路構成の代わりに、これらのSiPを使用することで、性能と信頼性を最大化しつつ、設計期間を短縮し、基板面積を小型化することができます。

この新しいリファレンス設計は、スペースに制約があり効率が重視される産業機器に最適です。650V 150mΩのGaN FETを2個搭載したMasterGaN1Lと、STの共振型コントローラ「L6599A」を組み合わせた電源は、94%を超えるピーク効率を達成し、一次側のヒートシンクなしで動作します。また、STの同期整流コントローラ「SRK2001A」を利用することで、電源全体の設置面積を80 x 50mmに抑えながら、1立方インチあたり34W（ワット）という卓越した電力密度を実現します。

最大10A（24Vdcでの250Wに相当）の出力電流を供給し、1µA未満のスタンバイ消費電流により、大幅な省電力化が可能です。L6599AとSRK2001Aに組み込まれた保護機能により過電流、短絡、過電圧に対する耐性を確保し、入力電圧モニタリングにより適切な起動とアンダーボルテージロックアウトを提供します。

EVL250WMG1Lは現在入手可能で、即座に評価を開始できるように組み立て済みの状態で提供されます。価格は約250.00ドルです。GaNパワー・プロジェクトのシステム設計開発期間の短縮に役立つ関連情報については、ウェブサイトをご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、50,000名以上の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン・ニュートラル（スコープ1、2、および3の一部）の実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001428.000001337.html