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記事検索結果
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物質・材料研究開発機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究員、生田目俊秀統括マネージャーらは、理化学研究所ナノサイエンス研究施設の柳沢佳一テクニカルスタッフと共同で、次世代の金属酸化膜...
金ナノ粒子(ナノは10億分の1)表面を鎖状の分子で覆い、酵素が物質を取り込む方法と同様の機構を再現して活性を上げた。金ナノ粒子は化学的に安定なため、工業用途への活用が期待できる。...
大阪府立大学21世紀科学研究機構ナノ科学・材料研究センターの飯田琢也講師らの研究グループは、光の対称性と強弱が変化する状況をつくれば、その「揺らぎ」を利用して、特定のナノメートルサイズ(ナノは...
研究グループは5ナノ―10ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜微小単結晶をつくり、その結晶に電気を流して表面を調べた。
【回路の微細化】 現在、最先端を行く半導体は回路線幅が20ナノメートル(ナノは10億分の1)まで微細化。次世代は同10ナノメートル台の実現を目指して開発が進められてい...
だが、液浸は回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)前半が限界と言われてきた。 ... インテルは回路線幅22ナノメートルプロセスからニコンに加え、ASMLの露...
カーボンナノチューブ(CNT)を使った電極に酸化チタンを被覆すると、被覆しない場合に比べて白金触媒の耐久性が1・2倍になる。... 筒状の炭素分子である直径約60ナノメートル(...
「10ナノメートル(ナノは10億分の1)レベルの加工精度を実現する工場」と胸を張るのはナカヤマ精密(大阪市淀川区)社長の中山愼一さん。
今回、その電極を最適化することによって、従来の10ナノメートル(ナノは10億分の1)以上のバルクCMOSと同等以上の出力電流特性を実現した。
東芝は、超低消費電力高密度集積回路(LSI)の実現に向け有力とされるナノワイヤトランジスタにおいて、基板にかける電圧を制御することで待機時の消費電力を従来の10分の1に低減できる10ナ...
回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の次世代半導体の実用化に向け、素子の漏れ電流や消費電力の低減などさらなる技術向上が目立つ。... スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合...
これにより、半導体の露光工程が簡略化され、10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下という微細な半導体回路パターン形成の実用化に近づく。
直径4インチのウエハーの表面粗さを0・429ナノメートル(ナノは10億分の1)に仕上げた。従来のウエハーの表面粗さは5ナノ―10ナノメートルで、新技術は10分の1程度に低減した。......
真空状態でイオンビームを使ってフィルム表面に厚さ10ナノメートル(ナノは10億分の1)のシリコンを付け、その上に同1ナノメートルの鉄を重ね、鉄の面を合わせるとフィルムが貼り合わされる。
松岡玄也レナ・システムズ社長は直径10ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の電子ビーム卓上装置による微粒子解析などを解説。
波長250ナノ―300ナノメートル(ナノは10億分の1)の光の吸収率を高めた吸収剤は、ポリカーボネートの添加剤向けに提案する。... 従来品の吸収は370ナノメートル付近までだった。....
