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記事検索結果
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ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。...
ロームが得意とする炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを活用。... ヴィテスコは、2025年に同社初となるSiC搭載インバーターの生産開始を計画する。 ... SiC...
900度Cにも耐える高耐熱性や高耐久性を持つため、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体向けにも利用できる。
【名古屋】名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授らは、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)において、結晶表面で電子と正孔が結合してエネルギー損失となる現象(表面再結合...
【国を守る黒子】 次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体搭載のインバーター装置が、19年に運行を始めた東京メトロ・丸ノ内線の新型車両に採用された。
住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...
現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。... 12年に独自の成膜...
産業技術総合研究所(産総研)では、Siパワエレを超える性能を目指して、新材料であるワイドギャップ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)に注目し、ウエハーからモジュールまでの各...
【京都】ロームの炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスが、中国車載部品大手ユナイテッド・オートモーティブ・エレクトロニック・システムズ(UAES、上海市)の電気自動車用充電...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスと駆動ICを、ウェブ上の仮想回路で一括検証できる電子回路設計者向けシミュレーションツール「ロームソリューションシミュレーター=...
炭化ケイ素(SiC)を材料としたワイドバンドギャップ半導体の採用や、高周波スイッチング技術により小型化と高効率化を実現した。
アドマップは独自技術を持つ化学気相成長(CVD)―炭化ケイ素(SiC)の開発から販売まで手がけていた。
大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。... 現在の主流であるケイ素(...
同繊維は炭化ケイ素(SiC)でできた繊維で、耐熱温度は1800度C以上、重さは金属の3分の1。 ... まず炭素とケイ素、水素で構成するポリマー「ポリカルボシラン」を...
シリコンパワー半導体を超える低損失で大電力を制御できる新しいパワー半導体として炭化ケイ素(SiC)が期待されている。... SiCの導電性を決める主なドーパントはn型が窒素、p型がアル...
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
住友大阪セメントは、半導体製造装置向けの炭化ケイ素(SiC)セラミック部品を製造する市川事業所(千葉県市川市)で、セラミック焼成用のホットプレス(焼成炉)...
