- トップ
- 検索結果
記事検索結果
72件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
ロームはオン抵抗を低減した新製品の投入計画を前倒しするなど、SiCパワー半導体で攻勢をかける。 ... オン抵抗を約30%低減した第5世代を25年に市場投入予定で、28年に市...
【京都】ロームは低オン抵抗の車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)10機種を発売した。... ロームは低オン抵抗で低発熱の車載用MOSFETの需要が高まっているとし...
「業界トップクラスの低オン抵抗デバイスに代表される、性能の良い半導体を作る技術力を持つことだ。
故障や劣化を招く過電流の検出に、直列の2セル用保護ICでは「世界で初めて」(エイブリック)外付けの抵抗を用いることで、同社従来製品に比べ検出精度を10倍に高めた。... 従来の直列の2...
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...
一般的に200ボルト耐圧以下のGaNデバイスは駆動電圧5ボルトに対してゲート・ソース定格電圧が6ボルトで超過電圧発生が続くと電源のオン・オフができなくなるなど信頼性が低く実用化に課題がある。... ロ...
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...
ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
高い移動度は、オン抵抗を下げて電力損失を減らし、また、高速動作や素子の小型化にも有利となる。 ... さらに、十分に高い移動度を持つトランジスタでのみ発現する、抵抗が磁場に対して振動...
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
【高速・高温動作】 SiCパワーデバイスの特徴は、低抵抗、高速で、高温でも動作し、オン抵抗、動作損失を抑えた小型で高パワー密度のモジュールが可能となる。
ロームは新型投入に加え、今後の高機能化や低オン抵抗化などでラインアップを強化し、競争力を高めていく方針だ。
【最小オン抵抗】 産総研ではこれらの課題克服のため、MOSチャネルを結晶品質が高いエピタキシャル成長膜で構成したIE−MOSFETを開発し、当時の世界最小オン抵抗を達成した。... ...
新シリーズは、従来シリーズ「DTMOS IV−H(ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数(ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量...
これにより従来のプレーナー構造と比べ、オン抵抗を半減できる。... オン抵抗をさらに半減し、より小型で同じ性能を実現する。
同回路の密度を高めることで抵抗値を下げたほか、使うSiCウエハーの量を減らせるためコスト削減にもつながる。... 1平方センチメートル当たりのオン抵抗値は3・5ミリオームで、世界最高レベルだという。
電力変換効率に大きな影響を与えるオン抵抗を、SiC製SBDと比べて86%低減できることを確認した。
