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レザリオ専用スコープとしては初めて高解像度相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、微小な病変の観察性能を高めている。
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーは、スマートフォン向けが2014年出荷額で約6割強と最大の市場になっている。
表面にイオン感応膜、裏面に相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を配置した。イオン感応膜に観察対象を載せるとイオンから電子を受け、CMOSに伝えて電圧の変化を読み取る。 ...
V溝型金属酸化膜半導体構造トランジスタ(VMOSFET)で、耐圧が1200ボルト、オン抵抗は2・0ミリオーム平方センチメートル。 電子の流れをオン・オフするチャンネル...
レザリオ専用スコープとして初めて高解像度相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、微小な病変の観察性能を高めた。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。
【提案力高める】 一方、UKCホールディングスは、ADAS向けにソニー製の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの提案を始めた。
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。
圧力センサーは、スキャンナノの独自の真空技術と膜技術を採用。消費電力が少なく、標準的CMOS(相補性金属酸化膜半導体)プロセスで同じチップ上にその他のデバイスも搭載可能。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。
静岡大学発ベンチャー企業のブルックマンテクノロジは、カメラに搭載される相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの開発・設計を手がける。
500度C以下でのPZTの成膜技術は業界初という。低温化によりシステムLSIなどの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)との一体化が可能になり、圧電MEMSの小型化や高機能化が図れる。.....
炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。
トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...
