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記事検索結果
629件中、28ページ目 541〜560件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.008秒)
最近の露光装置は切れ込み(スリット)を通じて広いエリアを露光するスキャナー形式になっている。 ... そのITRSの中で露光装置の技術工程表も方向性が示されている。 ....
同30ナノメートル世代では、半導体回路をウエハーに焼き付ける露光工程に2回露光(ダブルパターニング)を採用する。ダブルパターニングは1台当たりの装置費用が高価なフッ化アルゴン(...
ニコンは13日、子会社のニコンエンジニアリング(横浜市神奈川区、永田浩社長、045・320・1311)が微小電気機械システム(MEMS)用の縮小投影露光装置「ミニステッ...
「今のままだと半導体露光装置の生産能力が不足するのは明らか」と先を読むのは、ニコン専務執行役員で精機カンパニープレジデントを務める牛田一雄さん。 ... 「2010年には次世代半導体用に先端露...
露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...
【ニコン社長・苅谷道郎氏】 ―半導体露光装置の受注が減少しています。 ... フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源の液浸露光装置の引き合いが強い」 ―先...
半導体製造装置・部材の国際的な業界団体であるSEMIは、製造装置メーカーの見方を代弁する形で「大口径化ではなく、搬送方法改善など寸法拡大とは無関係な諸要因が生産性には有効」と主張する。 ......
ニコンは2010年をめどに半導体露光装置で投影レンズの設計を変更し、露光時の明るさを表す開口数(NA)を現行機種の1・30から物理限界の1・35に引き上げる。... ニコンは09年10...
半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... 露光の明るさを示す開口数(NA)は0・25...
オランダのASMLは2010年に、光源に極端紫外線(EUV)を採用した半導体露光装置「NXE 3100」を市場投入する計画を明らかにした。... EUV露光装置はニコンとキヤノ...
半導体露光装置メーカー3社が開発を進めている回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体に対応した新型露光装置の概要が明らかになった。... 露光装置3社は09年に新型...
第10世代(同2850ミリ×3050ミリメートル)用TFT露光装置に採用した凹面反射鏡(ミラー)での一括露光方式を踏襲。... キヤノンは、第10世代用のTF...
日立ハイテクノロジーズと結んでいた半導体露光装置の販売代理店契約を見直す。... 日立ハイテクは09年3月をめどにASML製の半導体露光装置販売を終える。... 日本市場ではニコンやキヤノンなど国内露...
半導体露光装置メーカーは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体製造に用いる最先端装置を09年から市場投入する。... 露光を2回実施するダブルパターニングは従来の...
ただ、半導体用、液晶用ともに露光装置の受注は低迷、先行きも読みにくい。... (安久井建市) ―半導体用露光装置の受注動向はどうですか。 ... フッ化アルゴ...
【厚木】ブイ・テクノロジーは液晶パネル用ガラス基板向け露光装置「イージス」で、配向膜露光に特化した機種を発売する。小さな露光用マスクを並べ、ガラス基板上を移動しながら露光する方式。... 同社は201...
半導体製造用の露光装置をカメラと並ぶ中核事業に位置付けるニコン。... (安久井建市) ―露光装置の受注は落ち込んでいませんか。 ... 「露光光源にi線やフッ化クリプ...
