- トップ
- 検索結果
記事検索結果
129件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.057秒)
【横浜】イリソ電子工業は、車載インバーターに使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の耐振動性を高めるボード・ツー・ボード(BツーB)フローティングタイプコ...
200キロ電子ボルトの高出力型を品ぞろえし、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)向けを狙う。...
初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。
高速スイッチング仕様の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC―IGBT)がモーターの騒音抑制にも役立つ。
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)といった電動車市場が拡大する中、同社が特に受注を伸ばすのが、インバーターの主要部品である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用ヒー...
富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...
【京都】ロームは産業機械や家電などの省エネ性能を高められる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT、写真)を開発し、量産を始めた。
N700系は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)素子を採用したが、発熱を抑え、高温でも動作できるSiC素子への変更を決めた。
近年は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などの利用が進むが、コストの面ではサイリスタが優位だ。
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。... 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会イ...
当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... ゲート酸化膜にかかる電界を低減し、壊れにくくした」 ...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。
【立川】三喜電機(東京都八王子市、三田喜孝社長、042・665・4100)は、パワー半導体デバイスなど絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング試験に使...
また「薄ガラス基板」「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」は、サポインとは別枠で事業化を目指す。
現状のシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、短絡までの時間が一般的に8マイクロ―10マイクロ秒(マイクロは100万分の1)。
自動車や家電などに搭載される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けで、パワー半導体メーカーに提案する。
