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記事検索結果
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パワー半導体の材料には炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった“硬くてもろい”物質が使われる。... これにより4インチサイズのSiCウエハーを削る時間を従...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
理化学研究所大森素形材工学研究室の片平和俊専任研究員と慶応義塾大学の小茂鳥潤教授、日進工具は、低温プラズマを照射して炭化ケイ素(SiC)基板を高精度に微細加工する技術を開発した。......
それに替わるのが、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの材料だ。SiCパワー半導体は一部で実用化が始まっている。
車載用パワーデバイスの炭化ケイ素(SiC)半導体の実装に提案する。動作温度を高く設計でき、SiC半導体の電力損失を4分1に抑えられるという。... またSiCは長時間電流を流すと積層欠...
【大津】龍谷大学理工学部の大柳満之教授らの研究グループは、米カリフォルニア大学デービス校のズヘア・ムニール教授らと共同で、炭化ケイ素(SiC)合成向けに、酸化物を使わず2000度C程度...
ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用した次世代パワー半導体においても、他社に先駆けてモジュール製品を投入していく方針。... ただ「SiC製品は不良が多く、価格が高くなってしまうのがネ...
今後は炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーなど強みを生かせる分野の育成に専念し、同時に「1、2番打者でヒットとバントを積み重ねたい」と既存事業の拡大に力を入れる。 ...
ただ海外メーカーが攻勢を強めているほか、ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用するなどの次世代技術を巡る開発競争が激化している。... 例えば窒化ケイ素や窒化アルミニウムなど日本勢が得意...
例えば、X線吸収分光法という手法に超電導計測技術を組み合わせ、炭化ケイ素(SiC)に半導体特性を付与する窒素ドーパントの結晶中での格子位置を世界で初めて決定した。これまではSiCを構成...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
Si―SiC(シリコン含浸型の炭化ケイ素)という材質で、体積当たりの気孔の割合を示す気孔率を約80%に高めた。... 開発した「AIRSIC(エアシック)」はシ...
製品戦略では自社開発の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を採用し、省エネ性能を向上。SiC搭載のインバーターや補助電源装置を投入し製品の競争力を高める。
三菱電機は20日、太陽光発電(PV)システム用のパワーコンディショナー向けパワー半導体で、ダイオード部に炭化ケイ素(SiC)を用いた新製品(写真)を開発...
基板にシリコン(Si)を使う既存技術の進化は限界に近く、今後は、基板に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使って性能を高める新技術が競争力を左...
窒化ケイ素製は靱性が高くて割れにくい。 ... 今後普及が予想される炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールではより高温環境で安定動作が求められるため、窒化ケイ素製基板...
窒化ケイ素製は靱性が高くて割れにくい。 ... 今後普及が予想される炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールではより高温環境で安定動作が求められるため、窒化ケイ素製基板...
