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記事検索結果
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7―9月期だけで、NAND型フラッシュメモリー事業は100億円以上の黒字を確保、「第3、第4四半期も需要過多の状況が続く」(村岡富美雄東芝副社長)とみる。
NAND型フラッシュメモリーでは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)台、DRAMでは40ナノメートル台の生産が本格化する。
DRAMやNANDなどのメモリーをはじめ、ロジックやMPUでも採用される見通しだ。... 例えばDRAMはNAND回路に比べ露光に高度な技術が求められ、顧客からの引き合いが増加している。
東芝は21日、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスによるNAND型フラッシュメモリーを採用したパソコン用のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を10...
東芝と米サンディスクは2010年後半から回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のNAND型フラッシュメモリーを量産する。... 競合のサムスン電子は米テキサス州の工場で30ナ...
NAND型フラッシュメモリーを生産する東芝の四日市工場(三重県四日市市)の稼働率は4―6月で70%だったが、7―9月にフル稼働に戻る見通し。... 「NAND型フラッシュメモリ...
―NAND型フラッシュメモリーの価格動向を教えて下さい。 ... NAND型フラッシュメモリーの価格は採算ラインに乗ってきたという。
東芝が約半年ぶりにNAND型フラッシュメモリーを生産する四日市工場(三重県四日市市)をフル稼働に戻したことが分かった。
インテル(東京都千代田区、吉田和正社長、03・5223・9100)は22日、回路線幅34ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術で製造したNAND型フラッシュメモ...
しかし東芝は過去、メーンフレームからパソコン、DRAMからNAND型フラッシュメモリーなど撤退をバネに新しい事業を成功させた経験がある。
東芝は、NAND型フラッシュメモリーを安価に大容量化できる3次元積層メモリー技術の新構造を開発した。... 30ナノメートル世代の先端NAND型フラッシュメモリー(2値)に比べ、約5分...
東京大学大学院の竹内健電気系工学専攻准教授と産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長は、不揮発性ページバッファー(写真)を備えた強誘電体NANDフラッシュメモリーを共...
日本IBMは3日、入出力性能をハードディスク駆動装置(HDD)の8倍に高め、記憶容量が従来比約1・5倍の50ギガバイトのNAND型フラッシュメモリーを実装した外部記憶装置「50ギガバイ...
回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)、同32ナノメートルなど、半導体メーカーがコストダウンにつながる微細化投資を継続していることに加え、多機能携帯電話(スマートフォン...
