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記事検索結果
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東芝はNAND型フラッシュメモリーの需給バランスの悪化で営業赤字に転落した。... ゲーム機向けのシステムLSIが不振だったほか、携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーの価格が前四半期...
1回目はNAND型フラッシュメモリーを主力とする東芝の齋藤昇三執行役上席常務セミコンダクター社社長。(安久井建市) ―NANDフラッシュの需要状況は。 「NANDフラッ...
新技術により、例えば、16ギガビットNAND型フラッシュメモリーウエハーを10枚重ねてチップ状にすれば、超小型の160ギガビット大容量メモリーを量産化できるとしている。
東芝は携帯機器の記憶素子としてNAND型フラッシュメモリーを事業化しているが、「フローティングゲートで電荷を保持する現在のタイプでは回路線幅30ナノメートル世代が限界」と見ている。... NANDフラ...
東芝は2010年の稼働を計画するNAND型フラッシュメモリーの二つの新工場棟に、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを適用する。... NANDフラッシュの...
東芝は携帯機器などの記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーを増産する。... NANDフラッシュの増産では携帯電話や携帯型音楽機器、デジタルカムコーダ向けの需要拡大に対応する。... 東芝はNA...
販売を伸ばす四つのメモリーは、一つのチップにNOR型とNAND型の両フラッシュメモリーの性能を持たせた「ORNAND2」、携帯電話用の「ミラービット イクリプス」、サーバのDRAMの置き換えを...
「当社はNAND型フラッシュメモリーに力を入れている。先端プロセス開発ではまずNANDフラッシュで技術を立ち上げて、この技術をロジック(演算素子)にも応用していく。... NECエレと...
また、NAND型フラッシュメモリーが主力の四日市工場(三重県四日市市)に敷設している直径200ミリメートルラインを大分や岩手に移管して利用する。
東芝は09年3月をめどに、直径200ミリメートルウエハーラインを用いるNAND型フラッシュメモリー製造事業で米サンディスクコーポレーションとの合弁を解消する。... 今年度のNANDフラッシュの価格下...
さらに09年度中に回路線幅20ナノメートル世代となるNANDフラッシュのサンプル出荷も始める。... 東芝はNANDフラッシュの回路線幅を70ナノメートルから56ナノメートルに、現在では43ナノメート...
ハギワラシスコム ハードディスクの代わりとなるNAND型フラッシュメモリーを搭載したフラッシュドライブ(駆動装置)「HFDシリーズ」を発売した。
産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長らは19日、東京大学の竹内健准教授と共同で、NANDフラッシュメモリーの性能を高める新しいトランジスタを開発したと発表した。... これをNA...
東芝は携帯機器などに用いるNAND型フラッシュメモリーの出荷数量増加により売上高は増えるが、価格下落を「2010年まで毎年40―50%見込む」(西田厚聰社長)ため、営業利益は横...
NANDフラッシュは第5、第6製造棟を同時着工、需要を見ながら設備を導入し能力を増強する。... その際、まずNANDフラッシュに先端プロセスを採用、システムLSIに採用を広げていく。 ......
記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーやシステムLSI、ディスクリートを強化するが、中でも成長のけん引役になるのはNANDフラッシュ。... 【成長率4・1倍】 その計画の柱になるのがN...
