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NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...
NECエレクトロニクスは18日、ブルーレイ・ディスク(BD)への記録・再生をワンチップ化したシステムLSI「SCOMBO(エスコンボ)/UM2A=写真...
ルネサスとNECエレは08年度下期に40ナノメートル世代品の量産を始めるが、NECエレがHigh―kを採用するにとどまり、いずれも40ナノメートル世代品ではメタルゲートの採用を見送る。
NECエレは、製造前工程を担う100%出資子会社のNECセミコンダクターズ関西(大津市)滋賀工場で窒化ガリウム半導体を量産する。
日商エレクトロニクスは5日、中小企業向けに情報漏えい対策用アプライアンス(用途を特化した製品)を発売したと発表した。 企業のセキュリティー対策に必要な機能を1台に集約したほか、...
NECエレクトロニクスは29日、チップ上の回路線幅に90ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用したDRAM混載LSI「μPD809400」を製品化したと発表した。画像データを...
NECエレクトロニクスは27日、09年度末をめどに直径300ミリメートルウエハーラインの生産能力を倍近く増強すると発表した。半導体製造前工程を担う100%出資子会社のNECセミコンダクターズ山...
NECエレクトロニクスは、プリント基板上に実装したLSIチップが基板とデータをやりとりする際に生じる性能の劣化を防ぐ技術を開発した。LSIを集積して組み立てる従来のパッケージ構造は変えずに、波形のゆが...
NECエレの業績改善の遅れなどを理由に、米投資ファンドのペリー・キャピタルがNECに対し、NECエレへの出資比率を引き下げるよう要請している。NECエレの株式約6%を保有するペリーは親会社の利...
NTTエレクトロニクスは21日、NTTと共同でインジウムリン(InP)を素材としたスイッチ集積回路(IC)チップとスイッチモジュールを製品化し、6月1日にサンプル販売を...
NECエレクトロニクスは14日、半導体製造子会社のNECセミコンダクターズ関西(大津市)とNECセミコンダクターズ山形(山形県鶴岡市)の前工程ラインの閉鎖計画撤回を表明...
NECエレクトロニクスの08年3月期連結決算は営業損益が黒字転換した。設備投資を561億円に圧縮するなど一連の投資抑制により償却負担が減少した。研究開発費削減、人件費削減などの固定費削減効果が表れた。
ハードディスク駆動装置(HDD)用ガラス基板事業への参入に20億円強を当てるなど、電装・エレ部門は設備投資額109億円と前年度比41・6%上積みする。
NECエレクトロニクスは7日、電池駆動の小型・低消費電力システムに適するフラッシュメモリー内蔵の16ビットマイコン22品種を製品化したと発表した。16ビットのCPUコア「78KOR」をベースに待機電力...
DOWAエレクトロニクスは30日、インジウム4N(ITOグレード)の建値引き上げを発表した。1日出荷分から、大口顧客向けはキログラム当たり1万円上げの7万5000円、小口向けも同幅上げ...
日商エレクトロニクスは企業向けLAN構築事業を強化する。このほどセキュリティー機能などを搭載したLANスイッチを発売したほか、同製品に特化した認定技術者向け教育プログラムの提供も始めた。ネットワーク管...
