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記事検索結果
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大阪大学の山村和也准教授らは、炭化ケイ素(SiC)のような硬い材料に損傷を与えず平滑に研磨する技術を開発した。... 表面を平滑にするのにかかる時間は、市販のSiCであれば約1時間。....
【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...
新日本無線は2012年3月末までに、基板に炭化ケイ素(SiC)を用いたオーディオ専用ダイオードを発売する。... オーディオ用ダイオードの基板はシリコンが主流で、オーディオ用にSiCを...
電力損失をシリコンに比べて低減できる炭化ケイ素(SiC)を使った半導体は11年度中に、産業技術総合研究所が茨城県に敷設しているラインで少量生産を始める。
炭化ケイ素(SiC)ダイオードを搭載したほか、インバーターのパルス電圧振幅波形制御を2回路に増やしてエネルギー消費を抑えた。
ただグラフェンの機能を制御するには、基板に高価な炭化ケイ素(SiC)を使う必要があった。 シリコン基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ、真空状態で加熱すると薄膜表面がグ...
【北九州】高田工業所は15日、炭化ケイ素(SiC)などの高硬度材料を加工する超音波ダイシング(切断)装置「CSXシリーズ=写真」を発売したと発表した。... S...
東京大学の香川豊教授らは、割れにくく軽い炭素繊維と炭化ケイ素(SiC)の複合セラミックス材料を開発した。... ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズのナノ粒子を使っ...
京都高度技術研究所(京都市下京区、075・315・3625)は、7日13時半から京都市西京区のJSTイノベーションプラザ京都で、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスに関す...
基板に炭化ケイ素(SiC)を使ったチップを自社の産業機器の電力制御に使う。... ダイオードのほかトランジスタにもSiCを用いるインバーターの“フルSiC化”も進める。... 同市場の...
木本教授の業績は「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に関する先駆的研究」。既存の半導体にとらわれず、優れた性質を持つ新しい半導体材料であるSiCの研究に取り組み、この材料を革新的な省エネ...
シリコン限界、素材開発に拍車 半導体素子をすべてSiCで構成したSiC半導体モジュール㊨。... 既存製品の用途拡大に加え、使用電力を抑制できる炭化ケイ素(SiC)な...
三菱電機は3日、炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体を採用した直流600ボルト・750ボルト鉄道車両用インバーターを発表した。... (大阪・小林広幸) ...
窒化ホウ素(BN)の周囲を炭化ケイ素(SiC)が包含する結晶状の物質。... SiC―BNの製造はケイ素を含む液状材料に炭素材料と独自の窒化ホウ素を混合し、1800度C...
新日鉄マテリアルズ(東京都千代田区)は、太陽光発電用の多結晶シリコンや炭化ケイ素(SiC)ウエハーなど、特徴的な素材製品を多く持つ。
