記事検索結果

産総研、新構造のTMR素子開発−大容量MRAM実現へ（2010/1/18）

産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。... 1...

茨城県科学技術振興財団、江崎玲於奈賞に野田京大教授（2009/7/24）

「第20回つくば賞」▽湯浅新治産業技術総合研究所スピントロニクス研究グループ長(40)、鈴木義茂大阪大学大学院教授兼産総研スピントロニクス研究グループ客員研究員(49)...

JST、東北大・川島教授らに井上春成賞（2009/7/16）

他は「酸化マグネシウム系トンネル磁気抵抗素子およびその量産技術」のテーマで、産業技術総合研究所の湯浅新治エレクトロニクススピントロニクスグループ長とキヤノンアネルバ、「生体を模倣した味認識装置(...

日本原子力研究開発機構は自然科学研究機構分子科学研究所と東北大学、東京大学と共同で、フラーレン―コバルト薄膜で巨大トンネル磁気抵抗(TMR)効果が起こる機構を解明したと22日発表した。...

阪大、室温で金属薄膜磁石の磁極の向きを電圧で制御（2009/1/19）

トンネル磁気抵抗素子と同じ材料系を使っており、実際の素子開発に適用できる。電子が持つ電荷とスピンを同時に制御するスピントロニクス素子である磁気メモリーなどの超低消費電力化につながる成果。

阪大、高周波発振に成功−高性能強磁性トンネル接合素子作製（2008/8/29）

従来の巨大磁気抵抗素子の100倍以上の約0・2マイクロワット(マイクロは100万分の1)の発振出力を実現した。... 作製したトンネル磁気抵抗素子は磁極フリー層(コバルト・鉄・...

内閣府など、08年度産学官連携功労者16件44人を表彰（2008/6/10）

▽内閣総理大臣賞=超高密度HDDのための高性能トンネル磁気抵抗素子(湯浅新治・産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門研究グループ長ら)▽科学技術政策担当大臣賞=完全...