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記事検索結果
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物質・材料研究機構の原田善之特別研究員らの研究グループは、次世代メモリーとして期待されているReRAM(抵抗記憶素子)でレアメタルを使わない素子の集積化プロセスを開発した。... デバ...
ニューモニクスの株主である米インテルはマイクロンとフラッシュメモリーの生産合弁を行っており、実質3社の技術資産を持ち寄り、次世代メモリーの開発を加速。... ニューモニクスは伊仏STマイクロエレクトロ...
大手ファウンドリー(半導体受託製造)やメモリーメーカーが大型投資を再開し、製造装置メーカーには短納期の注文が舞い込む。... また、ドル建て取引が5割あるので、今の為替水準は痛手だ」&...
【POINT】 1.現行メモリーには微細化の壁 2.低消費電力化や製造技術の確立課題 3.メモリー市場のシェア争いに異変も DRAMや...
ルネサステクノロジは2012年に、チップ上の回路線幅に65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した磁気抵抗メモリー(MRAM)を市場投入する。... マイコ...
なかでも核磁気共鳴(NMR)装置用ニオブ3スズでは世界シェア50%と圧倒的な地位を占める。 ... 現在、超電導技術の実用化が最も進むのは医療向けの磁気共鳴断層撮影装置...
宇部マテリアルズと日本タングステンは11日、次世代の大容量半導体用メモリーなどの研究開発に使われる酸化マグネシウムのスパッタリングターゲットを共同開発し、製造を始めたと発表した。... 酸化マグネシウ...
NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... 富士通研究所と富士通マイクロエレクト...
