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記事検索結果
94件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.005秒)
産業機器分野で、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワー半導体からの置き換えを狙う。 ... 製造コストを抑えられ、IGBTパワー半導体と比べ遜色のない製品...
富士電機はSiC素子を採用したショットキーバリアーダイオード(SBD)と、既存のSi素子を使った絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせたハイブリッド型...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要が急増しているためで、現行の研究用途向け1機種に加え、...
三菱電機 産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ」を開発し、30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGB...
三菱電機は産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ=写真」を開発し、6月30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを1チップ化した「RC―IGBT」を搭載するなどし、チップサイズを小さくしたり、チップ同士の間隔を狭めたりしてパッケージを小型化...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... トレ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 宝泉徹電子デバイス事業本部事業統括部長は「IGBTの性能と、サービ...
ラピスでは、もう一つの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎市)でも、パワー半導体である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の生産増強に取り組んでいる。&...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
インバーターなどに組み込む絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の後工程の生産を始めた。... マレーシアでは産業向けIGBTの前工程と後工程を一貫して行っているが、14年度中に...
提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。... 富士電子の装置は入力電力に対する...
産業技術総合研究所は従来のシリコン材料では不可能な、16キロボルトの高電圧に耐える炭化ケイ素(SiC)パワー半導体トランジスタを開発した。... 先進パワーエレクトロニクス研究センター...
SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...
