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記事検索結果
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大阪大学産業科学研究所の吉田秀人准教授と竹田精治教授、九州大学先導物質化学研究所の柳田剛教授らは30日、高品質の金属酸化物ナノワイヤ(ナノは10億分の1)ができるVLS法で、低温合成条...
3次元造形技術により同現象を起こす単結晶の二酸化バナジウムの細線を作製した。 ... 田中教授らは酸化マグネシウム基板上に酸化バナジウムを薄膜蒸着し、基板をエッチング(腐食作...
大容量MRAMを構成する素子は、情報を記憶する「記憶層」と、酸化マグネシウムの「トンネル障壁層」、記憶層の情報を判定する基準となる「参照層」から成る。
磁性層の素材はよく知られたコバルト鉄ボロンだが、この材料を当時の常識では考えられなかった1ナノメートル(ナノは10億分の1)台まで薄くし、酸化マグネシウムの障壁層との界面の「垂直磁気異...
独自に開発した単結晶の酸化ガリウムの成膜プロセスを使い、半導体の酸化ガリウムをトンネル障壁層とした単結晶だけのTMR素子を開発した。 ... まず、下部電極である単結晶の鉄の上に1ナ...
今回、MTJ素子の酸化マグネシウム(MgO)絶縁層を、厚さ9オングストローム(100億分の1メートル)という薄さで、均一に作製した。
ポイントは不純物を減らすために行う2回の溶解工程のうち「1回目の溶解でマグネシウムの酸化物を意図的につくること」(高級金属カンパニーの中村秀一産業機器材統括部長)。... この問題の解...
同じ化学反応を利用する蓄熱材としては酸化マグネシウムが有望視されているが、250度C以上の熱が必要だった。
【大口径化を実現】 この大口径単結晶ダイヤモンド基板は、酸化マグネシウム基板にイリジウムフィルムを重ねた異種材料基板を下地として使い、高温環境下で下地の上にダイヤモンドの層を形成する...
SLT(純度の高いタンタル酸リチウム)結晶に酸化マグネシウム(MgO)をドーピングしたMgSLT基板で、分極を周期的に反転した構造とした。
CMOS(相補型金属酸化膜半導体)トランジスタで課題の待機電力抑制も可能になるとみている。 鉄とシリコンの間に、スピンを効率よくシリコンに注入させるため酸化マグネシウ...
絶縁材は福井大学工学部の米沢晋教授と共同開発し、従来材料の酸化マグネシウムに窒化ホウ素を混合した。... 同社はマグネシウムにコーティングする手法を確立し、絶縁材への活用を図る。
アルミナ(酸化アルミニウム)やマグネシア(酸化マグネシウム)、黒鉛など原材料の9割以上を中国を筆頭に海外から調達、製品化して輸出する。... アルミナなどのほかに酸化カ...
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の幾原雄一教授は、東京大学、英ヨーク大学と共同で、セラミックス(酸化マグネシウム)内の結晶の欠陥構造を設計・制御し、原子レベルで結晶構造を人工的に作...
開発した検出器は、従来の酸化マグネシウム基板に代えて、熱酸化膜を持つシリコン基板を採用。... シリコンと熱酸化膜の境界面で光子が反射するようになり、ナノワイヤに吸収されやすくなっている。