- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,007件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.099秒)
メモリーは3次元DRAM、デバイスはインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素で構成された酸化物半導体(IGZO)関連の発表が多く、「技術、回路ともにAI向け半導体の論文が全体をけん引した」&#...
24年度内には、低コストという利点を生かした有機半導体CMOS(相補型金属酸化膜半導体)回路の量産技術確立も目指す。
東京工業大学の岡田健一教授らはNTTと共同で、テラヘルツ帯(テラは1兆)で通信可能なアクティブなフェーズドアレイ(複数のアンテナへ位相差をつけた信号を給電で...
半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
開発したPLLを最小の配線半ピッチ65ナノメートル(ナノは10億分の1)のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した。
黒木教授は500度Cでも駆動可能なSiCの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積回路やメモリー、世界初のSiC製CMOSイメージセンサーなどを開発した。
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... p型とn型がそろうこ...
日本発の最先端ロジック開発 東京大学の平本俊郎教授は日立製作所でバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)の開発に携わった。
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーや3次元(3D)NAND、DRAMなどの製造プロセス分野を中心に販売。
同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。
エネ消費分析に活用 筑波大学の都倉康弘教授らの研究グループは、コンピューターが計算を実行する際の、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)NANDゲートにおける計算過程と熱...
東京大学の高木信一教授は東芝出身で、大学院時代から40年以上、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の研究一筋に歩んできた。... 一方、近年は人工知能(AI&...
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。
ノーマリーオフ動作するダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。MOSFETのゲート電極など、ダイヤモンド表面を酸化ケイ素薄膜で絶縁する。このダイヤモ...
シリコンフォトニクスとは、シリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積回路の製造インフラを利用して高密度に光デバイス集積を実現するプラットフォーム技術である。
これまでに回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、4096ビットの拡張可能な全結合型イジング大規模集積回路(L...
東京理科大学の河原尊之教授らの研究チームは、回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、現在の量子コン...
三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術などを適用した、SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をネクスペリアへ開発・供給。
