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記事検索結果
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成果は米ハワイ州で開かれている半導体国際学会「VLSIシンポジウム」で、日本時間15日に発表する。
東北大学、産業技術総合研究所、東芝、NECなどの日本勢や欧米各国の半導体研究機関が、日本時間13日から米ハワイで開かれる半導体国際学会「VLSIシンポジウム2012」で最新の成果を発表する。
東北大学の遠藤哲郎教授と大野英男教授のグループは、NECと共同で待機電力ゼロのロジック混載用の1メガビット不揮発性メモリーを開発した。同大が開発したスピントロニクス技術であるMTJ素子とシリコン技術を...
産業技術総合研究所はLSIの省電力に有効な高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発した。電流通路が基板表面を通る従来の平面型トランジスタに対して、断面の大きさが数十ナノメートル以下の棒状の...
中でも特に大規模なのが、10万―1000万個もの素子でできたVLSIだ。... 放射線がVLSIに照射されると、VLSI内に保持したデータが間違った情報に書き換えられて誤作動するといったエラーが発生す...
米VLSIリサーチによると、10年の世界のテスター販売額はメモリー向けが09年比約3・8倍の5億6770万ドル、SoC向けが同2・7倍の24億3660万ドルと大幅に増加する見通し。
ルネサスエレクトロニクスは、18日までのVLSI会期中に、プロセス技術と回路技術で計10本の筆頭論文を発表する。... 論文採択率が約30%とハイクオリティーを保つ半導体のVLSIシンポジウム...