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名大、n型有機半導体膜の新成形法を開発 (2020/7/1 科学技術・大学)

名古屋大学大学院工学研究科の忍久保洋教授らのグループは奈良先端科学技術大学院大学の松尾恭平助教らと共同で、溶液の塗布と加熱によるn型有機半導体膜の新たな成形法を開発した。... 太陽電池には正孔を流す...

ニュース拡大鏡/JR西・JR東・JR九州、自動運転の取り組み本格化 (2020/2/20 建設・生活・環境・エネルギー1)

JR西はP型、JR九州はDK型と種類こそ異なるが、ATSベースのシステム開発に取り組む。

SiCの導電性を決める主なドーパントはn型が窒素、p型がアルミニウムである。市販の主なパワー半導体用SiCウエハーはn型で、窒素ドーピング濃度の限界は比抵抗にして15―20ミリオーム・センチメートルと...

液漏れ・腐食のリスク回避 リコー、固体型太陽電池モジュール3種 (2020/1/22 電機・電子部品・情報・通信2)

センシングデバイスや発光デバイスの自立型電源などで採用を見込む。 ... 有機感光体材料と類似した有機P型半導体をホール輸送層として採用。同半導体を酸化チタン多孔層に高充填するなどし...

塗布型半導体で無線通信 東レが低コスト作製 (2020/1/21 素材・医療・ヘルスケア)

東レは20日、高性能半導体カーボンナノチューブ(CNT)複合体を用いた塗布型無線識別(RFID)を作製し、塗布型半導体として、世界初の極超短波(UHF)...

構成部品となる熱電発電モジュールは、電荷の運搬を正電荷の正孔(ホール)が担う「p型熱電変換材料」と電荷の運搬を電子が担う「n型熱電変換材料」で構成されている。... p型材料にニッケル...

日立金属・材料科学財団、今年度研究助成に安藤氏ら11人 (2019/11/15 素材・医療・ヘルスケア)

助成が決まった安藤特定准教授は、一般助成制度部門のうち「金属材料分野」の研究として「仕事関数制御した強磁性材料の開発とP型シリコンスピントランジスタの創成」に取り組む。

研究グループはこれまでに、有機色素の「フタロシアニン」を使ったp型半導体とn型半導体の接合が光触媒として使えることを発見。... 逆型OPVは一般的なOPVと積層の順番を入れ替えた太陽電池で、安定性が...

名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。GaN...

縦型スーパージャンクション(SJ)というトランジスタ構造を採用した。N型半導体とP型半導体が柱状に林立した構造で、高温での抵抗が従来の構造の3分の2程度に下がった。

そのため、軟X線に対する高エネルギー分解能、高P/B比のEDXが求められていたが、エネルギー分解能は、検出器の材料のバンドギャップで決まるため、半導体を使う限り分解能の向上は極めて困難であっ...

同社が手がける色見本2544色を大きく24色に分類した上で、色覚障がいの種類である1型色覚(P型)と2型色覚(D型)の人で判別しやすい色を抽出。さらに弱視と3型色覚&#...

電子が流れる「n型」半導体と正孔が流れる「p型」半導体の両方の合成に成功した。窒化銅にフッ素を加えると「n型」から「p型」になる。

第30回「中小企業優秀新技術・新製品賞」(3)一般部門 優良賞 (2018/4/11 中小企業優秀新技術・新製品賞1)

また従来の炉は石英管を抜いて充填試薬の劣化を確認していたが、水平型の開閉扉を採用し、これを解決。... 金型を用いるため、熟練工でなくても加工可能。... (名古屋市緑区) &...

ファナティック、金剛鋲螺の自動倉庫サーバー 旧OSのまま刷新 (2018/2/20 電機・電子部品・情報・通信2)

ファナティック(東京都千代田区、内義弘社長、03・5212・1466)は「P2P型ハード入替サービス」を活用し、金剛鋲螺(大阪府東大阪市)の自動倉庫システムのサーバーを...

東京工業大学の細野秀雄教授と金正煥助教らは、アモルファス(非晶質)な透明型半導体を開発した。銅・スズ・ヨウ素の3元素で構成され、材料中を正孔が移動するp型半導体として機能する。... ...

次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 (2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信2)

一般的にGa2O3は、良質なP型層の作製が困難とされる。... しかし同社では、16年にGa2O3と同じ「コランダム構造」を持つ酸化イリジウムでP型半導体の作製に成功した。N型のGa2O3と組み合わせ...

ローム、MOSFETに省電力型を追加 冷蔵庫など白物家電向け (2017/5/29 電機・電子部品・情報・通信)

MOSFETを構成するP型・N型領域の間隔を狭くした新構造を採用して、スイッチングの高速化やオン抵抗の低減を実現した。

加工サファイア基板上に高品質な窒化アルミニウム層を結晶成長させ、その上にn型窒化アルミニウムガリウム層と発光層、電子ブロック層、透明なp型窒化アルミニウムガリウム層を製膜した。さらに、高い反射特性を持...

低電力回路の作製には、n型とp型の異なる極性のトンネルFETを同一のシリコン基板上に積んで回路動作させる必要がある。

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