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記事検索結果
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ただ耐圧性能がGaNの膜厚で規定され、基板全体の厚みに電圧がかかるサファイアや炭化ケイ素(SiC)など絶縁性基板と比べて、高耐圧化に限界があった。
【厚木】スミックス(相模原市中央区、宇田満社長、042・713・3733)は炭化ケイ素(SiC)ウエハー検査装置「ARCscan(アークスキャン)MEタ...
またウエハーにシリコンではなく炭化ケイ素(SiC)を活用したパワー半導体に対応した装置の展示も目立った。レーザーテック(横浜市港北区)などはSiCに対応した欠陥検査装置...
シリコンや炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体、LEDのほか、微小電気機械システム(MEMS)、シリコン貫通電極(TSV)を対象とする。 ...
また、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など消費電力を抑えた化合物半導体パワーデバイスが注目されているが、駆動時の発熱・高温化への対策が課題だ。
富士電機ホールディングスは2011年度内に(炭化ケイ素(SiC)を使った半導体を搭載したモジュールのサンプル出荷を始める。
【京都】ロームは4日、電気自動車(EV)などのモーターに内蔵できる炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... トレンチMOSFETという抵...
【省エネの切り札】 パワー半導体市場で今後、中長期的に、各社の動向を大きく左右しそうなのが素材にシリコンの替わりに炭化ケイ素(SiC)を活用した次世代半導体だ。... SiCは...
共同研究は、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体を開発するプロジェクト、バイオベンチャーと臨床研究機関が創薬や再生・細胞医療技術を共同開発するプロジェクトなどを有力候補として検...
同じ次世代素材とされる炭化ケイ素(SiC)と比べても、コストが安いのが特徴だ。... SiC半導体はまだSiCウエハーの価格が高いためコスト高になるのに比べ、GaNは低コストを実現する...
東レ・ダウコーニング(東京都千代田区、大志万俊夫社長、03・3287・8300)は1日、パワー半導体向けに4インチの炭化ケイ素(SiC)製エピタキシャルウエハーの国内販...
単結晶の大口径化につながる基礎技術で、炭化ケイ素(SiC)より高温動作が可能な窒化ガリウムデバイスの実現に寄与する。... 窒化ガリウムのデバイスは、SiCより製造しやすいと言われる。
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載した初の製品としてエアコンを11月下旬に発売する。... 三菱電はSiCパワー半導体を成長のエンジンに位置づけており、今後、モジュール全...
半導体各社は機器の電力消費抑制につながる炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を数年内に本格化する。... SiC半導体は既存のシリコン製半導体に比べ電力損失が5割以上減るといわれる。......
現在、IPUに使われる半導体はシリコン製だが、三菱は炭化ケイ素(SiC)での開発を進める。SiCはシリコンに比べ、耐熱性が高く、小型軽量化に寄与する。 ... そうなれば、熱の...
三菱重工業は22日、同社の常温ウエハー接合装置で、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)、サファイアを、それぞれ室温でシリコンに接合することに成功したと発表した。...
