【京都】サムコは27日、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体用のドライエッチング装置「RIE―600iP」を12月1日に発売すると発表した。... SiCウエハーのエッチングは...

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を採用したインバーター装置(写真)、全閉形誘導電動機を開発。... 三菱電機は11年10月に直流600/750ボルト架線対応の...

【北九州】高田工業所は15日、炭化ケイ素(SiC)基板などの難切材を高速切断する超音波ダイシング(切削)装置「CSX―400シリーズ」を開発、12月から発売すると発表し...

開発した超電導技術による分光装置を用いて、従来不可能だったSiC結晶中の窒素などの微量元素を測定することで実証した。成果はSiCや窒化ガリウムを用いた半導体の計測分析への応用などが期待される。 ...

三菱電機は29日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを搭載した数値制御(NC)装置用ドライブユニットを12月3日に発売すると発表した。

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の須田淳准教授と木本恒暢教授らの研究グループは23日、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて2万ボルトの電圧に耐えるトランジスタの作製に成功したと発表し...

販売面でもLEDの製造工程で使う炭化ケイ素(SiC)コーティングした『サセプター』など高付加価値製品の販売を拡大する方針だ》 「LED製造向けのサセプターはLEDの歩...

Siに代わる材料に炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)がある。... SiCやGaNのパワー素子の開発は順調に進み、現在、耐圧1000ボルト級のものも市販される...

ただ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体に交換することにより、電力損失を抑制しつつ、従来品以上に高温動作が可能になる。

昭和電工は30日、秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体に使う炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(直径4インチ=約100ミリメートル)...

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は30日、炭化ケイ素(SiC)結晶で結晶面が上下にずれる「らせん転位」と呼ばれる欠陥の構造を解明したと発表した。......

SiC結晶の品質向上につながる可能性がある。 ... SiCはインバーターなどに用いればシリコンより電力消費を抑えられる。今後はSiC結晶内部の欠陥検出法の開発を目指す。 &...

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)材料技術研究所エレクトロ・マテリアルグループの石川由加里主任研究員らは、研磨剤に薬剤を混ぜない機械研磨で炭化ケイ素(SiC&#...

炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを使うことで、低導通抵抗の動作を実現。... 新型ドライブシステムには、ロームと共同開発したSiC製パワーデバイスモジュールを採用。

炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフェンを作り込む場合、基板表面にナノレベルの段差があると電子密度が均一ではなく、バラつきが生じることになる。... 具体的には微細加工処理したSiC基...

省エネルギー性能に優れ、現行のシリコンに代わる次世代技術として注目されるのが、炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体。... さがみはら産業創造センター(相模原市緑区)...

このほど11年までほとんど実績がなかったLED用サファイア基板やパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板の原料となる結晶生産溶融炉向けの導入が決定。

その結果が歩留まりやコストの改善につながっている」 【技術開発の方向/「フルSiC」でモジュール】 新電元工業は次世代材料のSiCを使...

炭化ケイ素(SiC)半導体は耐熱性が高いが、デバイスとして実装に使われるはんだが熱に弱いため耐熱性を十分に発揮できない恐れがあった。 そこで銀粒子で接合すればSiCが...

三菱電機は9日、材料に炭化ケイ素(SiC)を用いた家電製品・産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を開発したと発表した。SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD...