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64件中、4ページ目 61〜64件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.016秒)
富士通研究所、次世代方式MRAM技術を開発 （2008/11/12）
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
NEC、500メガヘルツで動作する次世代メモリー開発 （2008/11/5）
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 開発したMRAMは、セル...
東北大、磁石の磁化方向を電気的に直接制御することに成功 （2008/9/25）
これにより、将来、低消費電力型磁気メモリーへの応用につながる研究として道が開けた。 ... 薄膜中のキャリア濃度を電界で増減することで、その磁気異方性を電気的に直接制御することに成功した。.....
