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記事検索結果
151件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.02秒)
半導体の配線微細化の進展に伴うフォトレジストの需要増に対応し、需要地での生産や拠点分散化による事業継続計画(BCP)対策を考慮した。... 業界で最後発組ながら先端のフッ化アルゴン&#...
配線の微細化といった半導体技術の進展に合わせ、年間数十億円を投じて製造装置の導入や更新を行っている。 微細な配線の形成に使うフッ化アルゴン(ArF)液浸レジスト用ステ...
―以前から2010年代は不確実性と多様化の時代と評していました。 ... モバイル端末は高精細化の傾向にあり、コストを下げるにも高輝度化につながる新材料は必要だ。... 半導体は極端...
光の感度の高い材料での15ナノメートルを実現は、EUV技術の実用化に貢献しそうだ。 ... 感度が低いと、プロセスに時間がかかるため実用化に向かなかった。 化学増幅...
EUVの評価段階にあるが、実用化のハードルが低くないため、建設時期などは流動的。既存のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にする装置で回路線幅の微細化を進めながら、EUVの量...
JSRは2日、半導体製造工程で、1回のフッ化アルゴン(ArF)光源露光で回路線幅(ハーフピッチ)20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細加工を行...
半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...
EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にするのが現在主流の露光装置の10分の1以下。... 一方、実用...
1日開幕した「セミコンジャパン」では、素材メーカー各社が半導体回路の微細化や高密度パッケージに対応する先端素材を出展している。... (6面参照) 半導体の微細化、高...
新たに市場投入したフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源に用いる露光技術に対応するペリクルの供給体制を整えるのが目的。... 露光光源はg線、i線、フッ化クリプトン(K...
当面はフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)を光源とした液浸方式露光装置の技術改良に経営資源を集中させる。... 純水をレンズと半導体ウエハーの間にはさみ微細化精度を高める液浸方式で...
ただ次世代光源である極端紫外線(EUV)の技術はいまだに確立されていないため、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源を使った液浸露光技術を回路線幅32ナノメートル...
今後の増産の中心は、回路線幅(ハーフピッチ)45ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体製造向けを中心とした先端のフッ化アルゴン(ArF)エキシマ...
半導体製造プロセスでは、半導体メーカーごとに製造装置や材料の組み合わせが異なるため、プロセス材料の最適化が必要になる。... フォトレジストでは、最先端技術である液浸露光用フッ化アルゴンレジストの売り...
ニコンが営業攻勢をかけるのはフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸の露光装置「S620」。半導体の回路パターンを2回以上に分けて転写して微細化する露光方式「ダブルパターニング」に...
オランダのASMLとのシェアの差が開くなか、ニコンは「フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸」と呼ばれる露光技術の新型機種「S620」の拡販で盛り返しを狙う。... 06年以降、...
ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の最新機種「NSR―S...
JSRは22日、次世代半導体製造プロセスであるダブルパターニング向けに、トップコート不要の自己架橋型フッ化アルゴン(ArF)フォトレジストを開発したと発表した。従来品と比べ製造プロセス...
東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... 年度内の実用化を目指す。&#...
