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記事検索結果
247件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
現在は主に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体を担当。... 電池からきた電流をIGBTが組み込まれたインバーターで制御しモーターを動かします。 &#...
第7世代のIGBTを搭載した製品で、17品種を品ぞろえに加える。... 新製品は「IGBTモジュールTシリーズ」に追加する。... 三菱電機は、電力損失とノイズを低減した第7世代IGBTを搭載したパワ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くすることで電気の通りを良くし、従来製品と比べ電力損失を約40%低減した。
新製品は「HVIGBTモジュールXシリーズ=写真」で、同社独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを搭載し、従来製品と比べ電力損失は約20%...
産業機器分野で、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワー半導体からの置き換えを狙う。 ... 製造コストを抑えられ、IGBTパワー半導体と比べ遜色のない製品...
富士電機は5日、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体モジュールの新製品を開発し、サンプル出荷を順次始めたと発表した。... 今回、富士電機が開発したIGB...
富士電機はSiC素子を採用したショットキーバリアーダイオード(SBD)と、既存のSi素子を使った絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせたハイブリッド型...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要が急増しているためで、現行の研究用途向け1機種に加え、...
三菱電機 産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ」を開発し、30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGB...
三菱電機は産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ=写真」を開発し、6月30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを1チップ化した「RC―IGBT」を搭載するなどし、チップサイズを小さくしたり、チップ同士の間隔を狭めたりしてパッケージを小型化...
パワー半導体ではシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が主流だが、SiCは高効率で高耐圧を実現できるため、今後市場が大きく伸びると見られている。
同製品は高速スイッチングで低電流域での導通損失が低いMOSFETを採用したことで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)よりも機器の定常運転時の低消費電力化に効果があるのが特徴。...
低電圧と高電圧を設定してゲート電荷曲線を測定する新たな測定方法を採用し、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールなど高電圧デバイスを正確に測定可能。
TDKはIGBTモジュールのスナバ回路用フィルムコンデンサーを検索できるウェブサイト「スナバキャップファインダー」の運用を始めたと17日発表した。IGBTモジュールの品番を検索フォームに入力するだけで...
独自構造の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、高放熱絶縁シートの採用により、同社の従来製品と比べ実装面積は約36%小型化、重量は約42%減らした。
