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記事検索結果
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独インフィニオン・テクノロジーズが切り開いたパワー半導体における直径300ミリメートルウエハーの世界。この結果、同半導体分野にもウエハーの大口径化が避けられない流れとして顕在化した。 ...
パワーデバイスなどの大容量化に伴い、半導体ウエハーも2インチ、6インチと大型化し、その接触面積を大きく取れるタイプが求められていた。
なかでも独インフィニオン・テクノロジーズは、パワー半導体では難しいとされてきたウエハーの大口径化に成功。... プロスCEOが言う優位性とは、ウエハーの寸法を直径300ミリメートルまで大口径化した製造...
同社は半導体ウエハーからチップを切り分けるダイシングソーで約7割の世界シェアを誇っており、安定供給に対する要望が多い。
欧州連合(EU)は5日付の官報で、6日以降、中国で生産もしくは出荷された太陽光発電パネルや電池、ウエハーの輸入に対し、登録制度を開始する方針を明らかにした。
ソイテックの技術は軽元素のイオン注入技術とウエハーの貼り合わせ技術を用いることで、1枚の半導体基板から単結晶の薄膜を原子レベルで切り出す技術。
他社に先駆けてパワー半導体の生産に大口径ウエハーを適用することでコスト競争力を強化。... ウエハー大口径化により、従来の200ミリメートルに比べてウエハー上から取れるチップ数が2倍ほどになることから...
三菱電機は6日、パワー半導体用の4インチ角の炭化ケイ素(SiC)インゴットをウエハーにする際、放電加工で40枚同時にスライス切断する技術を開発したと発表した。従来のワイヤソーによる切断...
ロームは今後数年かけて、ウエハー上に回路を形成する前工程ラインの再編を進める。... 品質の確保・向上につながるとしてウエハー製造からの一貫生産体制を重視。
ウエハーメーカーにはウエハー表面を平たんに鏡面加工する工程、半導体メーカーにはパターン付けしたウエハーの裏面を研削して薄くする工程での使用を提案する。... 通常ウエハーの鏡面加工は研削だけでは精度が...
さらに新開発のウエハー切断用超音波カッティング(ダイシング)装置を2013年1月、大手電機メーカーに初納入した。
研究開発の核になるダイヤモンド単結晶は熱伝導性が良く、現在、メーンで手がける精密切削工具用以外にもデバイス用のウエハー、X線透過窓用の極薄板などで用途拡大が見込まれる。
微小電気機械システム(MEMS)など極薄ウエハー1枚当たりのテープ貼付時間は1分弱。... ウエハーやテープの自動搬送・供給に生産品質を均一化する「カセット・ツー・カセット」方式を採用...
