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記事検索結果
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今回、赤色領域で発光するガリウム・ヒ素量子ドットを使い、「液滴エピタキシー法」と呼ぶ独自の量子ドット作製法を開発し、これまで難しかった量子ドットの自己形成に成功した。
研究グループはインジウム、ガリウム、ヒ素をベースとした半導体の量子井戸構造において、電子スピンをある特定の方向を軸に回転させたり、回転を止めたり、逆回りに回転させたりするといった制御をゲートで行えるこ...
共同研究グループは、ガリウム・ヒ素系の半導体薄膜を使って、光導波路の上に卍型の格子を周期的に並べた半導体の「人工キラル周期構造」を作製した。... 導波路層の内部には発光体であるインジウムヒ素製の量子...
厚さ150ナノメートル(ナノは10億分の1)のガリウムヒ素の板を、電子顕微鏡で確認しながら25層積み重ねて3次元フォトニック結晶を作製した。中心部の13層目の層には、ナノ共振器になる面...
品目別では、主に携帯電話の高周波アンプや赤色発光ダイオード(LED)向けのガリウム・ヒ素が同27・8%増の168億円、緑色LEDなどに使われるガリウム・リンが同67・2%...
これまでガリウムヒ素でできた化合物半導体同士の界面や、単層のカーボンシートのグラフェンなど、限られた材料でしか観測されていない。
同機構が独自開発した、結晶にひずみのない「液滴エピタキシー法」を使って作製したガリウムヒ素量子ドットを利用。... この量子ドットはガリウムヒ素とアルミニウムヒ素の境目で結晶格子の大きさが一致したもの...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。... 窒化ガリウ...
今後は実際に、直径数十ナノメートル(ナノは10億分の1)のガリウム・ヒ素製の量子ドットで結合端子のついた振動子を作り、複数個を並べてデバイスの作製を目指す。
東北大学の寒川誠二教授らの研究グループは、化合物半導体であるガリウムヒ素の基板上に同材料から成る厚さ数ナノメートル(ナノは10億分の1)、直径10ナノメートルの円盤状の構造物を等間隔に...
スマートフォンなどの高機能携帯電話の販売量の増加が、電子デバイス向けのガリウムヒ素半導体の需要増加をけん引。... 同社はガリウムヒ素と窒化ガリウム基板および、それぞれの基板に有機金属層を成長させたエ...
ガリウム・ヒ素の半導体に、直径50ナノメートル、厚さ5ナノメートルのインジウム・ヒ素製の量子ドットを2個、精度良く重ねて埋め込む技術を開発した。
三菱電機は携帯電話基地局向けに窒化ガリウム(GaN)製のトランジスタ3品種のサンプル出荷を始めた。... 通信機器の送信部はこれまでガリウム・ヒ素(GaAs)を使った電...
パナソニックは22日、ミリ波での長距離無線通信を可能とした窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。従来のガリウムヒ素(GaAs)半導体では3キロメートル...
東京大学大学院工学系研究科の田中雅明教授らの研究グループは、六方晶のマンガンヒ素の強磁性微粒子を含む単電子スピントランジスタ構造を作り、金属ナノ微粒子において10マイクロ秒(マイクロは100万...
