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記事検索結果
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同ブロックを組み込むだけでGaNパワーデバイスを試用でき、GaNを搭載した機器の開発スピードを向上できる。... ヘッドスプリングは設計の難しい炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー...
同センター内初の、結晶内の欠陥や歪みをX線により2次元画像で撮影・観察するX線トポグラフィが可能なタイプで、次世代パワー半導体デバイスなどの研究開発を支援する。
《SiCウエハーレーザー切断−インゴッド加工、18時間に短縮》 電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料と...
「炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をベースにした次世代パワー半導体向けの電子回路の商用化に取り組んでいる。パッケージング技術『POL(パワー・オーバ...
具体的用途として、250度C以上の高温に耐えられる脂環式エポキシ化合物を使った次世代パワー半導体用の封止材などを売り込む。... 従来、パワーデバイスに使われてきた封止材の大半は、耐熱性が175度C程...
太陽誘電は25日、米ゼネラル・エレクトリック(GE)のベンチャーキャピタル部門であるGEベンチャーズと、次世代半導体向け電子回路の商用化に取り組むと発表した。... 炭化ケイ素(...
昭和電工は9日、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの高品質品の生産能力を従来比3倍の月3000枚に増強したと発表した。
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
サムコはパワー半導体向け製造装置を拡充する。... SiCやGaNを使った次世代パワー半導体では高速スイッチングと高耐圧が求められ、トランジスタのゲート酸化膜をできるだけ薄く精密に形成する必要がある。...
次世代パワー半導体が最も効率よく稼働する回路を搭載。... 顧客は同製品を購入するだけで、自社製品に次世代パワー半導体を容易に組み込める。... 発売する電力変換回路ブロックは、設計難易度が高く動作ト...
GaNと同じ次世代パワー半導体と期待されるSiCダイオードと比べ、立ち上がり電圧は同じで電流密度が約4倍高く、オン抵抗は約半分に低減する。
文科省は16年度予算の概算要求に、次世代パワー半導体の研究・開発拠点の構築費として15億円を盛り込む。... 同拠点には材料メーカーのほか半導体メーカーなども参加。... 現在、パワー半導体はシリコン...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、材料に窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワー半導体で、高耐圧化を実現する新技術を開発した。.....
(京都編集委員・尾本憲由) 【相次ぐ製品化】 クラスターは京都高度技術研究所(京都市下京区)を中核機関とし、SiCによる次世代パワー...
高温環境で安定動作が求められる自動車や炭化ケイ素(SiC)など次世代パワー半導体の電源回路に使う部品の材料向けに提案する。
富士電機は一部の基板に炭化ケイ素(SiC)を採用し、効率を高めた次世代パワー半導体の製品ラインアップを拡充する。... ハイブリッド型パワー半導体で2018年度に売上高30億円を目指す...
基板(ウエハー)に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワー半導体の市場が拡大する。... 低価格化をどう進めるかなど課題もあるが...
同社は日本政策金融公庫の資本性ローンを利用し、次世代パワー半導体を活用した小型の電力変換機器を提供している。また独自のパワーエレクトロニクス開発支援データベース「ECOE」に設計ノウハウを蓄積。
不二越機械工業(長野市、市川浩一郎社長、026・261・2000)は、半導体製造の前工程に使われる加工装置を100%受注生産している。“切る・磨く”最先端技術による半導体のシリ...
