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記事検索結果
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今回、1兆分の1秒程度で振動する世界最高感度のテラヘルツ光の電場波形を直接測定し、半導体であるガリウム・ヒ素と、アルミニウム・ガリウム・ヒ素の間(界面)に形成した2次元の電子系で、ファ...
半導体による量子コンピューターの研究ではイリジウム・ガリウムヒ素など微小半導体粒子の「量子ドット」も使われるが、リン不純物シリコンは量子ドットよりも仕組みが簡単で、一般的に使われている材料のため、コス...
パナソニックは22日、室温でも高感度で周波数1テラヘルツ(テラは1兆)前後の電磁波であるテラヘルツ波を検出できるトランジスタ(写真)を窒化ガリウム(GaN...
シリコン基板上にインジウム・ガリウム・ヒ素(III―V族化合物半導体)を集積する新技術を開発、酸化アルミニウムの絶縁膜上に形成したIII―V族化合物半導体(III―V―OI&#...
このLEDの本体には一般的な半導体材料のガリウム・ヒ素を使用。p型(電荷を運ぶキャリアが正孔)、i型(不純物を含まない真性半導体)、n型(キャリアが自由電子&#...
スイッチング効率が高いインジウム・ガリウム・ヒ素・リンを採用し、フォトニック結晶のナノ共振器を使って光スイッチを作製した。
米イリノイ大学のジョン・ロジャース教授らはガリウム・ヒ素(GaAs)を、太陽電池やエレクトロニクス機器に低コストで実装できる技術を開発した。... そこで研究チームでは一度にGaAs膜...
荒川教授らは、基板の材料を主流のガリウム・ヒ素からシリコンに変えた、通信に適するハイブリッド型の量子ドットレーザーを作製した。... まずガリウム・ヒ素の基板上に、汎用的な有機金属気相成長法(...
富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、6ギガ―18ギガヘルツ(ギガは10億)の広い周波数帯域に対応し、従来比2倍以上に出力を高めた世界...
同技術を使い、ガリウム・ヒ素の基板上にインジウム・ヒ素の量子ドットを従来比2倍の1平方センチメートルあたり600億個配列した。
インジウムガリウムヒ素製と、ガリウムヒ素製の二つの量子ドットをサンドイッチ構造に作り込み、わずか電子1個を閉じ込められるだけの極小デバイスを作製した。
V字型の微小な溝を作ったガリウムヒ素基板上に、平たんな面と傾斜のある面で構成したリッジ構造を形成した。... 発光特性を調べたところ、リッジの下に形成したガリウムヒ素の発光層の強度が、酸化シリコン膜の...
三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。出力10...
ガリウムヒ素と違い、Geはそのままではレーザー光を発しないが、シリコン層の上に載せたゲルマニウム層に不純物としてリンをドーピングすることで余分な外殻電子が励起され、発光状態になるようにした。材料が高価...
具体的に、作製した試料は厚さ160ナノメートル(ナノは10億分の1)のガリウムヒ素の薄い板に、半導体加工技術で半径約64ナノメートルの円孔を空けたフォトニック結晶構造を持つ。板の中央に...
同技術は、入射光を光電変換するInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)フォトダイオードと、信号処理回路のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)をインジウムを使った...
高砂工場(茨城県日立市)と台湾の子会社の2拠点にまたがるガリウムヒ素基板へのエピタキシャル(成長)工程を、台湾に一本化する。... 高砂工場では成長工程のほか、ガリウム...
