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記事検索結果
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インキ技術の組み合わせなどにより、回路の絶縁性低下やショートなどの原因となるマイグレーションを銅エッチングと同等に抑えることも可能だ。
従来のトランジスタが半導体中の電子の移動を制御するのに対し、新型トランジスタ「アトムトランジスタ」は、わずかな金属原子を絶縁体中で移動させることで動作させる。半導体よりも抵抗の高い絶縁体を使い、金属原...
電気を絶縁するための懸垂がいし装置を乗り越える時に姿勢が不安定になる問題は、落下防止用の専用部品の開発などで解決した。
フジクラは20日、絶縁材にシリコンゴムを使い、180度Cの耐熱性をもたせた電源ケーブル(写真)を開発したと発表した。... 絶縁材に主流のフッ素ゴムを使うのに比べてケーブルを1割軽く、...
【前橋】アイポート(東京都千代田区、瀬川治社長、03・5577・6230)は薄膜太陽電池用の絶縁ぶち生成装置「グリーンフレーマー=写真」を開発し、受注を始めた。ガラス基板のふち...
IMVは電気自動車(EV)用リチウムイオン二次電池の絶縁材料を破壊せずに、欠陥検査する試験器を開発した。... 部分放電試験は絶縁破壊に至る前の状態の微弱な放電パルスを検知する方式。絶...
しかし近年は、精密電機部品の絶縁にも用いられており、「コンピューターの小型化、軽量化に溶射技術は不可欠」と強調。 ... 利益率が高い特殊用途を開拓する」とし、5年以内に、防食・防錆...
また、電気を帯びた物質を絶縁体に近づけると、帯電した物体に近い側に、その物体とは逆の電荷が現れる「電気分極(誘電分極)」という特性を磁場によって制御できる。... 今回の物質は、室温で...
鳥海教授らは、トランジスタのスイッチング性能を決める移動度が世界最高の、ゲルマニウムを使った絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(FET)を開発した。... ゲルマニウムはシリコンよりも移...
シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 低消費電力のLSI開発につながる成果で、実用化されれば今...
配線層間の絶縁膜には分子サイズの小さな穴が多数空いた、独自開発の低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用した。 これで配線層内にキャパシタを形成する際に、同膜中に金属の電極...
従来、絶縁性基板で製造したGaNトランジスタに比べ、シリコン基板で製造したものは耐圧性で劣っていた。... ただ耐圧性能がGaNの膜厚で規定され、基板全体の厚みに電圧がかかるサファイアや炭化ケイ素&#...
例えば、厚みが10ナノメートル以下(ナノは10億分の1)で、線幅が数百ナノメートルの超電導ナノストリップ構造や、二つの超電導体を1ナノメートルの厚さの絶縁層で隔てたサンドイッチ構造など...
【福島】東北電力は25日、ナタネ油を絶縁油として採用した「環境調和型変圧器=写真」を福島県伊達市の梁川変電所に1台導入し運転を始めた。
