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For Future 先端技術(150)東北大学・アイシンエッジ向けAI半導体（2024/12/2 モノづくり）

大容量MRAMで省電力データ爆発の解消に一役東北大学とアイシンは、大容量の磁気抵抗メモリー(MRAM)を搭載したエッジ領域向けの人工知能(AI&#...

産総研、イリジウムを採用−大容量MRAM性能達成へ（2017/2/28 科学技術・大学）

産業技術総合研究所は27日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに代わり新たにイリジウムを...

産総研のR&D(79)トンネル磁気抵抗効果の産業応用（2011/10/20）

これらの磁気抵抗効果は、既にハードディスク駆動装置(HDD)の再生磁気ヘッドや不揮発性の磁気抵抗メモリー(MRAM)の記憶素子として実用化されており、磁気記録の発展に大...

産総研、新構造のTMR素子開発−大容量MRAM実現へ（2010/1/18）

産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。... 磁...

NEC、システムLSI組み込み用大容量MRAM開発（2009/2/10）

世界最大容量で最速のMRAMで、チップ面積を従来と同等に小型化した。... 一方で高速動作に対応すると、通常の素子に比べメモリーセル(最小構成要素)の面積が増え、大容量化が難しい難点が...