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記事検索結果
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研究グループは、ポリイミド基板上に、クロムやゲルマニウム、テルルからなるアモルファス半導体(CrGT)薄膜を形成し、圧抵抗効果を測定。... 巨大な抵抗変化は、歪みによるCrGT薄膜内...
ReRAM(抵抗変化メモリー)といった、ほかのメモリスタと比べデータを安定して保持できる。
具体的には、重みを記録するための抵抗変化素子を微細配線間の交点に複数、配置。... 手順はまずパイプが交わるところ(実際は配線間の交点)に蛇口を複数配置し、蛇口ごとに重みの値(...
TMR素子は磁場によって素子の電気抵抗が変化する。... TMR素子は磁性層の間に絶縁層を挟み、上下の磁化方向を入れ替えて抵抗を変化させる。... すると抵抗が室温で631%変化した。
ヌヴォトンテクノロジージャパンの水素センサーは、自社の抵抗変化型の不揮発メモリー(ReRAM)技術を応用して開発。水素との反応で半導体メモリーの抵抗値が減少する性質を利用して検知する。...
米国のスタンフォード大学とカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)、中国・清華大学などは共同で、不揮発抵抗変化メモリー(RRAM)を使い人工知能(AI...
この上に接触抵抗型の導電性感圧シートを積層し、圧力が加わった際の電気抵抗変化をTFTで捉える。
フィルムの変形率に対して電気抵抗が1000倍変化する。... この素子を引っ張ると応力で磁化方向が変わり、電気抵抗が変化する。 ... 引っ張り状態を基準とすると0・2&#...
さらに複合体の間をアモルファスカーボンがつなぎ、電流が流れると抵抗が変わるメモリスターとして働いた。... 実験では電圧の向きと大きさを変えることで電気抵抗が大きくなったり小さくなったりした。つまり電...
するとスピン軌道相互作用に伴う電気抵抗振動のうねりが観察された。... この相転移は抵抗変化型メモリー(ReRAM)開発の端緒となった。
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、極薄の酸化物半導体(IGZO)のトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリーを3次元に積んだ人工知能(AI)チップを開発した。
【性能・コスト凌駕】 SCMの候補としては、従来のReRAM(抵抗変化メモリー)、PRAM(相変化メモリー)や、MRAM(磁気抵抗メモリー&#...
低消費電力で高速応答性を持つ次世代不揮発メモリーとして「抵抗変化型不揮発メモリー(ReRAM)」が研究されている。だがタンタル酸化物などの遷移金属酸化物ではメモリー動作時に化学変化が起...
中央大学理工学部の竹内健教授らは、データの精度を落としエラーを許容する計算手法で、高速で低電力な抵抗変化型メモリーストレージ(外部記憶装置)の要素技術を開発した。... 抵抗変化型メモ...
龍谷大学理工学部の木村睦教授らは、奈良先端科学技術大学院大学や高知工科大学、物質・材料研究機構と共同で、ガリウムとスズによる酸化物「GTO」の非晶質薄膜が、通過した電荷を記憶して抵抗が変化するメモリス...
開発したナノメッシュ電極を使い、金属などの導体に触れたり離したりしたときの抵抗変化や温度、圧力センサーの動作、腕の筋電計測などを行い、生体計測への適用可能性を実証した。
