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神奈川大、酸素貯蔵材料を開発短時間で吸収・放出（2023/10/13 科学技術・大学）

【横浜】神奈川大学の本橋輝樹教授、小川哲志プロジェクト助教らの研究グループは、400度C以下で短時間に酸素を吸収・放出する鉄酸化物の酸素貯蔵材料を開発した。... 創製した材料はバリウム(Ba...

酸素吸収、体積の100倍明治大と神奈川大、低コスト貯蔵材を開発（2021/8/30 科学技術・大学）

酸素欠損ペロブスカイト型サマリウム・カルシウム鉄酸化物の合成に成功した。... 酸素の製造プラントで大気から高純度酸素を回収する際は、新材料の酸素貯蔵材料をペレット状にして吸収塔に充填する。400度C...

酸化物の焼成工程、4分に1に豊橋技科大が開発（2018/8/22 科学技術・大学）

今回用いた材料ではインターグロース層のチタンが酸素欠損となり、その方向に格子間酸素がビリヤードのように酸素拡散を促進した。... 酸化物は酸素の拡散が均質に早く起これば材料を早く焼成できることが分かっ...

プラズマ薄膜成膜装置内で酸素負イオン(Oマイナス)を用いた。酸化物セラミックス粉末や薄膜内の酸素欠損(酸素空孔)量を制御することも可能。... 具体的な酸化プロセスは、...

産総研と筑波大、抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明に成功（2017/1/16 科学技術・大学）

ReRAMでは、酸化物層に含まれる酸素の欠損が材料の電気抵抗値に影響し、メモリーの低消費電力化に重要な役割を果たすことが予想されていたが、その具体的な挙動は明らかになっていなかった。 ...

阪大、絶縁体界面の極薄金属層の電子構造を解明（2013/6/4）

菅特任教授らはLAO表面にできる酸素欠損から、電子がLAO/STO界面に移動することで、界面金属層が生成されるとみている。

産総研のグリーン・イノベーション(9)次世代PEFCの材料開発（2012/6/21）

この触媒担体材料は電子導電性を示す酸素欠損型チタン酸化物をベースとしている。

物材機構、レアメタル使わないReRAM集積化プロセス開発（2011/1/28）

研究グループではアルミニウムの価数が安定しているため酸素欠損に起因した新たな機構でメモリー機能が現れていると見ている。