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記事検索結果
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ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。... ...
東北大学の佐藤昭准教授らは理化学研究所などと共同で、トランジスタの新動作原理であるプラズモンで、テラヘルツ波(テラは1兆)の検出感度を1ケタ以上高めた。... 研究チームはインジウムリ...
窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。... 電子を高速に移動できるGaNパワー半導体などにより...
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...
電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... デルタ電子の関連会社、アンコラセミコン...
三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...
スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...
データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。デルタ電子は電源メーカー。... 共同開発するGaNデバイスはデル...
生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を量産する。
【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...
天野教授らは大電流高電圧に向く高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造で容量を3倍にした。 ... 目指すWPTは電子機器やロボットなどへの常時充電を実現するIoE...
今回、増幅器の周波数を制限する要因となっていたトランジスタの寄生容量成分をインダクタ成分で中和する「中和回路」を500ギガヘルツ帯で初めて適用。高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トラン...
GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。 ... より小型のデバイスが求められるため住友...
米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。
米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は5日、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅器)に使用されている窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ...
三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...
GaNの表面に加速器でMgイオンを打ち込んだ後、窒素で満たされた空間内を1万気圧に高め、1480度Cで15分間熱処理した。... 集積回路として機能させるには、電子が流れる「n型」半導体と、正孔が流れ...
宇宙空間では電子や陽子、重粒子などさまざまな放射線粒子が飛び交っているため、これらの粒子がデバイスに入射されても故障しないようにする必要がある。 ... 人工衛星における次世代パワー...
