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記事検索結果
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東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...
東北大学の陣内佛霖助教と五十嵐純太学術研究員、深見俊輔教授らは、直径5ナノメートル(ナノは10億分の1)の磁気トンネル接合(MTJ)素子で10ナノ秒以下の高速...
実際に磁気トンネル接合(MTJ)素子を作製して400度Cで熱処理したところ、熱処理温度を250度Cに抑えた場合の2倍以上のトンネル磁気抵抗効果が得られた。
接合直径18ナノメートルの磁気トンネル接合(MTJ)素子で書き換え耐性や高速書き込みなどを達成した。... MTJは小さくすると熱安定性が低下し、磁化方向が乱れてしまう。そこでMTJに...
薄い金属の磁石層(記憶層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒(ナノは10億分の1)程度の時間電圧パルスをかけると、磁化反転が起こる。
電子が持つ電荷とスピンの両方の性質を利用する同技術を使い、従来の半導体製ひずみ検知素子の100倍以上の感度を持つスピン型ひずみ検知素子を作り、搭載。... 従来、ハードディスク駆動装置(HDD...
これらは、基本構造となる磁気トンネル接合(MTJ)素子に情報を記録する際、磁性膜に対して水平に磁化させる「面内磁化方式」を使う。 ... 【半導体業界と連携】 ...
情報の記録に必要な磁気トンネル接合(MTJ)素子の出力を従来の約2倍の200ミリボルトに高めた。... MRAMはMTJ素子内部の二つの磁性の向きを、電圧をかけて変化させることで情報を...
薄い金属磁石層(記録層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度(ナノは10億分の1)の短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。
開発した技術は、論理回路の中にある電源制御回路や、タイマー、乗算器、ADコンバーター(アナログデジタル変換器)などに、スピントロニクス素子を適用した。... 今回の新技術をもとに、回路...
LSIの銅配線層にMTJ素子を埋め込むことで、近接した銅配線を流れる電流をセンシングすることができた。... MTJ素子は2層の強磁性体とそれに挟まれたトンネル絶縁膜によって構成された磁性変化デバイス...
東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合素子(MTJ)を使うことで、最高5ナノ秒という高速で回路の書き換えができることを確認した。 MTJ素子を使い、電源を切ってもデータ...
同大が開発したスピントロニクス技術であるMTJ素子とシリコン技術を組み合わせて実現した。 ... 今回開発したメモリーのセルは、4個のトランジスタと2個のMTJから構成。そこに1ビッ...
富士通、日立製作所、東芝、NEC、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、次世代の記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)の実用化に必...
【新素子実用化の要】 磁界をかけると固体や素子の電気抵抗が変化する。... 【量産化技術に成功】 TMR効果を示す強磁性電極・トンネル絶縁膜・強磁性電極の三層構造か...
記憶素子として使う磁気トンネル接合(MTJ)素子の構造を改良し、電源を切ってもデータを保てる不揮発性能を高めた。... MTJ素子は磁石の性質を持つ二つの磁性層(記録層と参照層...
スピン注入型MRAMの骨格をなすのが、磁気抵抗効果を持つトンネル接合素子(MTJ素子)だ。... MTJ素子に電流を流すと、二つの強磁性層の磁化方向がそろったり逆向きになったりする。....
このため代替として注目されているのが、磁気トンネル接合(MTJ)素子などの磁性材料に電流を流すことで磁化方向が反転する現象を利用した記憶素子のスピン注入型MRAM。データの書き込み時に...
