【セミナーご案内】SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望 8月8日（水）開催 主催：(株)シーエムシー・リサーチ

先端技術情報や市場情報を提供している(株)シーエムシー・リサーチ（千代田区神田錦町： http://cmcre.com/ ）では、各種材料、エレクトロニクス、車載材料・部品関連などの市場動向・技術動向のセミナーや書籍発行を行っておりますが、 このたび「SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望」と題するセミナーを、 講師に岩室憲幸 氏（筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授）をお迎えし、2018年8月8日（水）10:30より、 『ちよだプラットフォームスクエア』5階503会議室（千代田区錦町）で開催いたします。 受講料は、 一般：49,000円（税込）、 弊社メルマガ会員：44,000円（税込）、 アカデミック価格は25,000円となっております（受講料には資料代/ 昼食代を含みます）。 セミナーの詳細とお申し込みは、 弊社の以下URLをご覧ください！ http://cmcre.com/archives/33834/ 質疑応答の時間もございますので、 是非奮ってご参加ください。


本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説します。2017年は、電気自動車（EV）の開発に向け大きく進展する年となりました。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切りました。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となりました。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されています。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えません。SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説いたします。

1）セミナーテーマ及び開催日時
テーマ：SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望
開催日時：2018年8月8日（水）10:30～16:30
会 場：ちよだプラットフォームスクウェア 5F 503
　　　　〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21
参 加 費：49,000円（税込） ※ 資料・昼食代含
　　　　＊ メルマガ登録者は 44,000円（税込）
　　　　＊ アカデミック価格は 25,000円（税込）
講 師：岩室憲幸 氏 / 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

2）申し込み方法
以下の↓シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイトからお申し込みください。
http://cmcre.com/archives/33834/
折り返し、 聴講券、 会場地図、 請求書を送付いたします。



3）セミナープログラムの紹介
１．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 高周波動作のメリットは
　1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か

2．最新シリコンIGBTの進展と課題
　2-1 IGBT開発のポイント
　2-2 IGBT特性向上への挑戦
　2-3 薄ウェハ フィールドストップ（FS）型IGBTの誕生
　2-4 IGBT特性改善を支える技術
　2-5 最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT
　2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2 SiCのSiに対する利点
　3-3 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
　3-4 SiCウェハができるまで
　3-5 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
　3-6 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか？
　3-7 SiCのデバイスプロセス
　3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
　3-9 最新SiCトレンチMOSFET

4．高温対応実装技術
　4-1 高温動作ができると何がいいのか
　4-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　4-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5．まとめ

4）講師のご紹介
岩室憲幸 氏 / 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

【講師経歴】
1984年 早稲田大学理工学部卒
1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機（株）に入社。
1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) 2017 Steering Committee Member。電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞（2011年）。

【著 書】
1) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T出版）（2018年1月発刊）
2) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
3) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）

5）セミナー対象者や特典について
★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、 地方公共団体、 および学校法人格を有する大学、 大学院の教員、 学生に限ります。
★ 2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、 2人目以降はメルマガ価格の半額です。

●セミナー対象者
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

●セミナーで得られる知識
SiCパワーデバイスの特長と課題
過去30年のパワーデバイス開発の流れ
パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術
SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

☆詳細とお申し込みはこちらから↓
http://cmcre.com/archives/33834/

６）関連セミナーのご案内
☆開催予定のセミナー一覧はこちらから！↓
http://cmcre.com/archives/category/seminar/seminar_cmc_f/

7）関連書籍のご案内
☆発行書籍の一覧はこちらから↓
http://cmcre.com/archives/category/cmc_all/

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000253.000012580.html