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記事検索結果
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次世代の極端紫外線(EUV)リソグラフィー露光装置の実用化が近づく。... 従来のEUV露光プロセスは1回のEUV露光でレジスト中に酸が発生し、反応が進む。... 2回目の光全面露光で...
【横浜】レーザーテックは極紫外線(EUV)マスク裏面の定期管理や受け入れ検査などができる装置「BASICシリーズ=写真」を発売した。... 対応する基板サイズは6インチのEUV...
当面は日本で中小型パネル向けの開発を進めたい」 ―極紫外線(EUV)用など次世代フォトレジストの事業見通しは。
18年までに直径450ミリメートルの半導体シリコンウエハーの普及や次世代機の極紫外線(EUV)露光装置の本格量産が予想される。
同じく次世代機として期待されている極紫外線(EUV)露光装置は18年からの本格量産が予想されており、先行して市場投入を図る。
東芝とニューフレアはこれまでに次世代の露光装置として期待される極紫外線(EUV)装置に対応したマスク検査装置などを共同で開発している。
次世代の露光装置として期待されている極紫外線(EUV)装置の開発を加速する。... EUVに関する両社の専門技術を組み合わせることで、リスクを低減しながら、技術の早期実現を目指す。&#...
サムスンは極紫外線(EUV)を使った露光装置の開発支援として、ASMLに5年間で研究開発費2億7600万ユーロ(約271億円)を提供するほか、5億300万ユーロ(...
巨額開発費がネックとなり、ASMLはEUV開発に遅れが生じていた。... ASMLを軸にした半導体大手のEUV導入が早まれば、戦略の練り直しは必至。... EUV開発で後れを取ると、厳しい局面に立たさ...
また、今後5年間に2億7600万ユーロ(約268億円)を提供し、極紫外線(EUV)を使った露光装置と直径450ミリメートルウエハーに対応した装置の開発を支援する。...
今後改良を進め、次世代の半導体製造技術である極端紫外線(EUV)リソグラフィーへの用途を目指し、3インチ結晶の作製技術を確立する。 ... 結晶サ...
極紫外線(EUV)露光装置など次世代機の研究開発費を提供する。... EUV露光装置の開発を急いできた。 ... 業界関係者は「EUVより実用化は早い」と見ている。&...
オランダのASMLは18日、次世代半導体の回路微細化の製造技術として注目を集めるEUV(極紫外線)を活用した露光量産機の受注台数が11台になったと発表した。... EUV露光機は従来の...
半導体は極端紫外線(EUV)露光などの次世代技術関連の研究も行うが、短期ではプラスアルファの技術でのフッ化アルゴン(ArF)露光の延命に対応することがポイントだ」...
本書は現場の即戦力シリーズの一冊として、光、電子線、X線、EUV(極紫外)光などのリソグラフィー技術をわかりやすく紹介。
同グループは自由電子レーザーで波長51ナノメートル(ナノは10億分の1)の極紫外(EUV)域の光を出す施設で、光吸収によってヘリウム原子から飛び出す電子のエネルギーの変...
JSRは20日、米国半導体製造技術組合のSEMATECHと共同で、化学増幅型の感光性材料(フォトレジスト)を使って極端紫外線(EUV)露光し、線幅15ナノメートル...
現在、真空環境下で利用する真空紫外光(EUV、波長13・4ナノメートル)を光源とする高額な露光装置を使えば、20ナノ―30ナノメートルの分解能で加工できるようになっている。 &...
エルピーダメモリは広島工場(広島県東広島市)に次世代の半導体製造技術のEUV(極紫外線)露光装置用の新棟の建設を検討する。... EUVの評価段階にあるが、実用化のハー...
