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記事検索結果
291件中、14ページ目 261〜280件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.005秒)
電子が持つ電荷を操作するための素子で、量子コンピューターへの応用が期待されている。... 電気伝導特性も、半導体素子に必要とされる特性である、結晶中で電子の取りうる二つのエネルギー領域間のエネルギー差...
岩通計測(東京都杉並区、藤田博之社長、03・5370・5160)は、最大ピーク電流1000アンぺアを実現した半導体カーブトレーサー「CS―3000シリーズ=写真」を発売した。絶...
【日本やや出遅れ】 グラフェンは、シリコンに代わる新たな小型・高速の半導体素子として研究が進む。... ほかにも、米ノースウエスタン大は、常温下でグラフェン上に半導体の単分子層を自己組織化させ...
半導体900億円、原子力270億円―。... (堀田創平) 【半導体】 09年度の半導体各社の設備投資は前年度比3―7割減少し、低水準にとどまる見通しだ。... ローム...
カナダで開催中の半導体素子の信頼性に関する国際会議「IRPS2009」で28日に発表する。 ... 結晶構造に欠陥があると漏れ電流が発生し、素子の信頼性が下がり、寿命の低下を招く。... 従来...
出力電圧の振幅があって、インバーター用パワー半導体素子のスイッチング損失も大きい。 ... インバーターの電圧出力の変化が非常に小さいため、半導体素子のスイッチング損失を大幅に小さくできる。
軟X線を放出し、軟らかい素材や微小な半導体素子を非破壊で検査できる。... 電圧が5―15キロボルトでは有機系の薬品や軟素材、10―30キロボルトでは微小半導体素子や微小電気機械システム(ME...
三菱電機もHVのモーターを制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の最大手だが、2010年からパワー半導体素子にシリコンカーバイド(SiC)を使ったモジュ...
半導体素子と電極などの部品をつなぐパワー半導体の接続部には従来、高温域に向かない鉛フリーハンダは使えなかった。... 素子と部品間の熱膨張係数の違いで発生する熱応力を防ぐため、素子に近い熱膨張係数を持...
パソコンや携帯電話、薄型テレビなどの性能を決める半導体。... 半導体素子を形成するためのそれぞれの工程では専用の製造装置を使うが、中でも露光工程が微細化のカギを握ると言って良い。... 《ひとくちメ...
富士通と富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は東北大学と共同で、新開発の顕微鏡を使って、半導体素子に含まれる不純物濃度を評価する手法を開発した。実際の素...
三菱電機は2010年からパワー半導体素子にシリコンカーバイド(SiC)を使ったモジュールを量産する。... SiCはシリコン(Si)に比べ電力損失が少なく高耐圧の半導体...
SiC半導体素子の大面積化や高耐熱絶縁樹脂の採用、冷却構造の改良で400度C以上での動作に成功、出力3倍を達成した。 ... 関電はこれまでにもSiC半導体素子を使った定格出力100キロボルト...
従来はフィンとモジュールの接合部で生じていた熱抵抗を大幅に軽減することで、半導体素子の温度上昇を約4割低減した。... 従来はフィンと半導体基板を別々に作り、半導体基板をハンダ付けした銅ベースをフィン...
