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EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、現在主流のArF液浸露光装置の10分の1以下。数年後に到来する回路線幅10ナノメートル台前半の半導体製造には不可欠とされるが、...

【福岡】福岡県工業技術センターはチタン酸バリウムの粒径を、従来の10分の1程度の10ナノ―30ナノメートル(ナノは10億分の1)にすることに成功した。

求められた精度は一秒間に10ナノメートル(ナノは10億分の1)、24時間で0・868ミリメートルの膜を作る超低速稼働。

開発したアルミナゾルは5ナノ―10ナノメートル(ナノは10億分の1)のアモルファス粒子を有機酸塩を用いて水に分散させた。... 【用語】ゾル=1ナノ―100ナノメートル程度の超...

だが「現在の19ナノメートル(ナノは10億分の1)から刻んで10ナノメートル台半ばまでは実用化が見えているが、10ナノメートル台前半は厳しい」(成毛康雄執行役常務)。....

半導体の微細化は現在の線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)近辺から10ナノメートル台半ばまではめどがついている。

【熊本】ナカヤマ精密(大阪市淀川区、中山愼一社長、06・4807・1500)は、加工精度が10ナノメートル(ナノは10億分の1)レベルの金属加工に乗り出す。熊本県菊陽町...

四日市工場(三重県四日市市)の新棟で回路線幅24ナノメートル(ナノは10億分の1)品の量産を本格開始。... 「現在の19ナノメートルから細かく刻んで10ナノメートル台...

従来シリコンは均一な量子ドットの作製が難しく、材料コストがシリコンの10倍以上の化合物半導体を使う研究開発が主流だった。 ... 今回特に、直径10ナノメートル(ナノは10億...

同システムは平均10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の気泡径を高密度に含んでいるナノピコオゾン水を採用した。

接合する材料に、ナノスケールの厚さの鉄とシリコンの膜をつけて、互いに押しつけるだけで接合できる。... 鉄とシリコン層の厚さはそれぞれ1ナノ―2ナノメートル、10ナノメートル(ナノは10億分の...

先端技術研究所(神戸市須磨区、舘林恂社長、078・736・5029)と九州大学大学院の山本剛准教授は、石炭や都市ゴミの効率燃焼に使われる「流動層」という技術を応用し、大気中のナノサイズ...

シリコンインクは直径5ナノ―10ナノメートル(ナノは10億分の1)の高純度シリコン粒子からなる。

電子ビームを用いて基板上に直径10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の金属粒子を形成できる装置を開発したエリオニクス(東京都八王子市)。

仏マクフィーエネルギーはナノスケール(ナノは10億分の1)の結晶構造を持つマグネシウムを使った水素吸蔵材料を開発した。... 開発した水素吸蔵材料は、大きさが10ナノメートルの結晶が集...

JSRは2日、半導体製造工程で、1回のフッ化アルゴン(ArF)光源露光で回路線幅(ハーフピッチ)20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細加工を行...

NAND型フラッシュメモリーの回路線幅は現在、20ナノメートル(ナノは10億分の1)台だが、3年後には10ナノメートル台半ばに突入すると予想される。ただ、微細化が進展しすぎるとメモリー...

ハーフピッチ10ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の加工に向け、順調に性能を高められているという。

ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズの部品を使いながら、拡張性が高く、プログラム可能なプロセッサーは初めてという。... まず直径10ナノメートルのゲルマニウムを2ナノメートル厚の...

NTTは15日、ナノメートル寸法(ナノは10億分の1)のマシンの機械的な振動で演算を行う「ナノマシンコンピューター」の実現に向け、デジタル演算の新手法を開発したと発表した。... 現在...

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