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記事検索結果
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東京大学や産業技術総合研究所などの研究グループは、超短波帯で応答する有機トランジスタを開発した。... 半導体集積デバイスの応答周波数は、トランジスタで電場による電荷の移動のしやすさの指標「移動度」と...
同センサーシステムは、柔軟な有機トランジスタと、磁場に対する抵抗値の大きい素子をプラスチックフィルム上に集積したもの。
初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
高速スイッチング仕様の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC―IGBT)がモーターの騒音抑制にも役立つ。
米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は5日、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅器)に使用されている窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ...
【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。
助成が決まった安藤特定准教授は、一般助成制度部門のうち「金属材料分野」の研究として「仕事関数制御した強磁性材料の開発とP型シリコンスピントランジスタの創成」に取り組む。
シリコントランジスタ中で250ギガヘルツ(ギガは10億)の周波数で電子1個が往復する動きを捉えた。
有機トランジスタ集積回路の大量生産や低コスト化につながる。 ... さらに今回得られたウエハー1枚から1600個のトランジスタを作製。すべてのトランジスタが駆動し、実用的なレベルの性...
電気の流れを制御するトランジスタの集積度が約2年ごとに2倍になるムーアの法則の限界も見え始めた。... NTTは長年、光工学技術の研究開発を続けており、4月に世界最小の消費エネルギーで動作する光変調器...
アナログ回路設計に必要な電気・電子回路の基礎に加え、増幅とスイッチング、抵抗、コンデンサー、コイル、トランジスタの役割などを同大学元講師の定松宣義氏が講義する。
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)といった電動車市場が拡大する中、同社が特に受注を伸ばすのが、インバーターの主要部品である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用ヒー...
こんな素子を可能にした主役がアンチ・アンバイポーラートランジスタである。... ある一定の電圧範囲だけ電流が流れる特殊なトランジスタである。... 【課題は山積み】 アンチ・アンバイ...
