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三菱電・産総研、GaN―HEMT共同開発 (2019/9/3 電機・電子部品・情報・通信1)

三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...

ローム、4端子SiCトランジスタ スイッチング損失35%減 (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

三菱電、低ノイズ・低電力損失のパワー半導体モジュール (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信2)

同シリーズは新開発のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用した。

東芝デバイス&ストレージ、ITバーチャル展に出展 (2019/8/28 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...

同回路は、薄いプラスチックフィルムを基材にできる有機トランジスタを電子素子に使った。トランジスタの電流のバラつきを2%以下に抑える技術により、これを集積してノイズ除去機能の高い回路ができた。

富士電機は第4世代直接水冷モジュールと、ダイオードと一体化したIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品で差別化する。

「(トランジスタの集積度が約2年ごとに2倍になる)ムーアの法則の限界が見え始めた中、日々増えるインターネットのデータ処理がこのままでは破綻する。... 4月には世界最小の消費エネルギー...

富士電機、風力向けIGBTモジュール 175度C耐熱 (2019/8/2 電機・電子部品・情報・通信1)

富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...

ローム、車載カメラの小型化後押し 新型トランジスタ開発 (2019/7/23 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

ローム、昇降圧電源IC開発 電力変換効率97% (2019/7/10 電機・電子部品・情報・通信2)

低損失トランジスタ内蔵で、機器動作時の電力変換効率を業界最高の97%に高めた。

トランジスタの微細化による性能や電力の向上、コストの低減は期待しにくくなっている。

産総研はこのシミュレーターを用い、絶縁体に強誘電性素材を用いた負性容量トランジスタの挙動の精密な計算を実現した。

縦型GaNパワーデバイスと横型GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製を始めている。

1000トランジスタ規模の集積回路を試作し、正常な動作を確認できた。... だが、これまで単体トランジスタや小規模な発振回路の製造実績しかなく、数百のトランジスタの規模を超える集積回路の開発とその製造...

製品イノベーション/スパコン、世界最速「ポスト京」時代へ (2019/5/3 電機・電子部品・情報・通信)

スパコンの心臓部であるプロセッサーの開発は、微細化によるトランジスタの集積度の向上と、消費電力をいかにコントロールするかが課題となる。

【京都】ロームは23日、パナソニックからトランジスタやダイオードなどの小信号半導体事業を買収すると発表した。... 同社は22年3月期までに300億円超を投じてトランジスタやダイオードの生産能力を30...

ローム、SiC―MOS内蔵AC/DCコンバーターIC (2019/4/12 電機・電子部品・情報・通信1)

高効率なSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。

無線通信やワイヤレス電力伝送用の高周波トランジスタ、ディスプレー、殺菌用紫外線光源などへの応用を見込む。

発光素子やトランジスタなどで特色のある研究テーマを生かし、理学と工学、情報学研究科を中心とするプログラムを構築。

心臓部のトランジスタは高周波向けには炭化ケイ素(SiC)を、低周波向けには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載。

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