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記事検索結果
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東芝によると同分野の13年度から16年度までの平均市場成長率は11%と高く、「既存のシリコン素子のほか、(次世代の)SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガ...
日立金属が持つ最先端の窒化ガリウム(GaN)基板技術を取り込むことで、次世代パワー半導体向け材料「GaNオン・シリコンエピウエハ」を15年度中に事業化する。同エピウエハはシリコン基板上...
米トランスフォームと富士通セミコンダクターは27日、富士通セミコンの福島県会津若松市の生産子会社で、ウエハーに窒化ガリウム(GaN)を採用した電源用パワー半導体の量産を始めたと発表した...
パワー半導体の材料には炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった“硬くてもろい”物質が使われる。
GaN基板上に同種のGaN系半導体を積層することで、従来のサファイアやシリコンに比べ結晶欠陥を100分の1以下に減らし、高エネルギー効率を実現している。 中村教授は会見で、紫色LED...
低コストでより高性能なGaN結晶の量産が実現すれば、GaNを使った電子機器や設備の小型化、省エネルギー化に役立つと期待される。... 従来のGaN結晶製法では、基板となるサファイアと、その上に形成され...
14年のノーベル物理学賞を受賞した天野浩名古屋大学教授が開発した窒化ガリウム(GaN)関連の技術を最大限に活用し、16年度の実装を目指す。
それに替わるのが、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの材料だ。... Si基板ではなく、GaN基板上にGaN素子を形成するのが特徴。... GaNに関する...
ノーベル賞の受賞対象になったのは、サファイア基板やシリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)系の半導体を積層した青色LEDの技術だ。これに対して中村氏は00年前後、技術的に難しいとされてい...
試作品はフレキシブルプリント基板事業と、半導体事業で培った窒化ガリウム(GaN)技術を組み合わせ、屋外でも使えるような高出力仕様に仕上げた。
窒化ガリウム(GaN)とシリコンを組み合わせた電極によって利用できる光の波長を広げ、CO2を還元できるエネルギー状態まで電子を一気に高めることに成功。GaNにインジウムを混ぜる改良によ...
■先陣切って この禁制帯が大きい「ワイドバンドギャップ(WBG)半導体」の中で、注目を集めるのがSiCや窒化ガリウム(GaN)。... 00年代以降、...
サムコは販売代理店契約を結んだ米ヴァレンス・プロセス・イクイップメント(ニュージャージー州)の、最新型の有機金属気相成長(MOCVD)装置「GaN―550」を本社開発棟...
(電機・電子部品・情報・通信1にインタビュー) 米ソラーのLEDは基板材料に既存のサファイアやシリコンではなく、窒化ガリウム(GaN)を使うのが特徴。...
基板にシリコン(Si)を使う既存技術の進化は限界に近く、今後は、基板に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使って性能を高める新技術が競争力を左...
今回開発した窒化マンガンガリウム(Mn3GaN)は、磁気が変わる温度が17度Cのため、常温付近で熱を吸ったり放出したりできる。 ... Mn3GaNは磁気を外に漏らさ...
【功績称える各界の声】 ■三菱ケミ 中村教授とGaN研究 三菱ケミカルホールディングスは、2003年に中村修二教授と窒化ガリウム(GaN)で...
