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記事検索結果
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高耐圧や低オン抵抗、高速スイッチングなどが特徴の炭化ケイ素(SiC)や、窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワーデバイス応用機器などにも幅広く提案する。 &#...
材料に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体の市場も拡大し、20年には全体の7%(現状では1%以下)を占...
具体的な開発分野としてはLEDの発光効率を高める窒化ガリウム(GaN)ウエハーや固体酸化物形燃料電池(SOFC)、リチウムイオン電池用材料などを挙げる。
従来はGaN―HEMTでも出力50ワットの素子が最高品だった。... また、GaN素子は供給された電力を高周波電力に変換する効率が高いため、消費電力の抑制にも効果が大きい。GaN素子の設計・製造技術を...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...
江川教授はサファイアの代わりに、シリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)結晶を成長させる方法により、高品質なGaN半導体を低コストで製造する技術を確立した。 ... 同...
経産省は14年度からSiCに加えて、シリコンと窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体開発プロジェクトを立ち上げる。... SiC製のパワー半導体が実用化されたばかりでGaN製はこれから...
省エネルギー化で期待されているGaN―HEMTの性能や特性を評価できる。... GaN製半導体はシリコン製やSiC(炭化ケイ素)製に比べて高速でスイッチングできる。... シリコン基板...
SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同社のSiC基板であれば良質なGaN基板も容易に製造できるとしている。併せて、SiC基板上にGaN...
日立電線はサファイア基板上に高品質な窒化ガリウム(GaN)単結晶薄膜を成長させたGaNテンプレート(写真)の新たな量産技術を開発した。... 提供するGaNテンプレート...
パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させ、独自構造のノーマリオフ型のGaNトランジスタを完成。... GaN製はシリコ...
シャープは14日、窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体市場に参入すると発表した。定格電圧600ボルトのGaNパワートランジスタを開発。... 開発したGaNパワートランジスタは4...
住友電気工業は仏ソイテック(パリ市)と薄膜窒化ガリウム(GaN)基板の製造・販売でライセンス契約を締結した。住友電工は1枚の自立GaN基板から複数枚の薄膜GaN基板を低...
エア・ウォーターは窒化ガリウム(GaN)半導体向け炭化ケイ素(SiC)下地基板を開発した。... SiCはGaN成膜と相性が良く、下地材料として有力という。... Ga...
【名古屋】名古屋大学プラズマナノ工学研究センターの堀勝教授と石川健治教授らは、窒化ガリウム(GaN)薄膜のエッチング時に発生する欠陥をプラズマで修復する技術を開発した。... エッチン...
