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記事検索結果
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直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させるため、既存の製造ラインを有効利用できる。... 基板自体をGaNでつくる技術も開発されているが、現時点でコスト高が課題とされる。 ...
【名古屋】日本ガイシは25日、発光ダイオード(LED)素子に使う直径4インチの窒化ガリウム(GaN)ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... 液体...
特別賞には中部大学の大俣美佳さんの「居心地のよい最良の学級が作られる学校用学級編成システム」、鳥取大学の楊振楠さんの「アジア医療へ つながるいのち つなぐ3点」、大阪大学の滝野淳一さん...
住友電気工業は、2013年度にも薄膜窒化ガリウム(GaN)基板の量産に乗り出す。フランスのソイテック(パリ市)との協業で、1枚の自立GaN基板から複数枚の薄膜GaN基板...
最優秀賞・テクノロジー部門は「GaN単結晶作製技術『OVPE法』の実用化〜超高温育成が切り拓くGaN系デバイス新時代〜」を発表した滝野淳一さん、隅智亮さん(ともに大阪大学大学院)が選ば...
テクノロジー部門最優秀賞に選ばれたのは大阪大学大学院・滝野淳一さんらのGaN(窒化ガリウム)単結晶作製技術「OVPE法」の実用化。気相成長法により市販のGaN基板よりも、安価で大口径な...
酸化ガリウムはSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)といった既存のワイドギャップ半導体に比べて製造に必要なエネルギーやコストの大幅な削減が見込める。
耐圧600ボルト以上はSiC、それ以下はGaN製を実用化し次世代パワー半導体市場で主導権を握る。 ... 【“普及への土壌”整う】 当面GaN半導体はシリコンやSi...
GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)と呼ばれる手法でGaN薄膜をつくる。... ただ、GaNは耐電圧性、耐熱性、放熱性を確保する上で技術的課題もある。... S...
パナソニックは窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスのノイズや熱特性などを、統合的にシミュレーションできる設計ツールを開発した。... GaNパワーデバイスはシリコンデバイスに比べて特性...
【名古屋】日本ガイシは発光ダイオード(LED)素子に使う窒化ガリウム(GaN)基板を開発した。液体材料から結晶をつくる液相法を用いて、GaN単結晶ウエハーを作成する。....
三菱電機は衛星通信基地局の電力増幅器向けに窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(写真、一目盛りは1ミリメートル)のサンプル出荷を2012年1月10日に始める。.....
【まずSiC実用化】 次世代半導体の材料として実用化が迫るのがSiCと窒化ガリウム(GaN)。... GaNは低耐圧、SiCは熱伝導率が高く放熱性にも優れており、高耐...
今後は15年度をめどに、普及価格帯の窒化ガリウム(GaN)基板を実現し、高輝度紫色LED素子の利用拡大を目指す。
従来一般的な気体状の材料からGaN結晶を成長させる気相法ではなく、材料を溶かした液から結晶を成長させる液相法を実用化。... GaN基板の欠陥の少なさなどの品質は基板直径70ミリメートルの試験設備で従...
