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記事検索結果
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テクノロジー部門最優秀賞に選ばれたのは大阪大学大学院・滝野淳一さんらのGaN(窒化ガリウム)単結晶作製技術「OVPE法」の実用化。気相成長法により市販のGaN基板よりも、安価で大口径な...
酸化ガリウムはSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)といった既存のワイドギャップ半導体に比べて製造に必要なエネルギーやコストの大幅な削減が見込める。
耐圧600ボルト以上はSiC、それ以下はGaN製を実用化し次世代パワー半導体市場で主導権を握る。 ... 【“普及への土壌”整う】 当面GaN半導体はシリコンやSi...
GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)と呼ばれる手法でGaN薄膜をつくる。... ただ、GaNは耐電圧性、耐熱性、放熱性を確保する上で技術的課題もある。... S...
パナソニックは窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスのノイズや熱特性などを、統合的にシミュレーションできる設計ツールを開発した。... GaNパワーデバイスはシリコンデバイスに比べて特性...
【名古屋】日本ガイシは発光ダイオード(LED)素子に使う窒化ガリウム(GaN)基板を開発した。液体材料から結晶をつくる液相法を用いて、GaN単結晶ウエハーを作成する。....
三菱電機は衛星通信基地局の電力増幅器向けに窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(写真、一目盛りは1ミリメートル)のサンプル出荷を2012年1月10日に始める。.....
【まずSiC実用化】 次世代半導体の材料として実用化が迫るのがSiCと窒化ガリウム(GaN)。... GaNは低耐圧、SiCは熱伝導率が高く放熱性にも優れており、高耐...
今後は15年度をめどに、普及価格帯の窒化ガリウム(GaN)基板を実現し、高輝度紫色LED素子の利用拡大を目指す。
従来一般的な気体状の材料からGaN結晶を成長させる気相法ではなく、材料を溶かした液から結晶を成長させる液相法を実用化。... GaN基板の欠陥の少なさなどの品質は基板直径70ミリメートルの試験設備で従...
次世代の省エネルギー型半導体として期待される窒化ガリウム(GaN)半導体の実用化を、民間企業13社や公的研究機関と共同で研究する。... 名古屋工大が持つシリコン基板上にGaNを結晶成...
窒素ガリウム(GaN)系発光ダイオード(LED)、多結晶シリコン系太陽電池の製造工程にも用いる高純度アンモニアの10年の世界需要は07年比約1・6倍の約8000トン。
ルネサスエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)を使ったケーブルテレビ用アンプのサンプル出荷を始めた。シリコン基板上にGaNを作り込むのが特徴で、炭化ケイ素(SiC)...
同社は、すでに、窒化ガリウム(GaN)を使った半導体を13年に量産する意向を示している。... 次世代半導体で、GaN、SiCの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をGaN、低...
窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)の加工技術やデバイスについて、鈴木彰立命館大学客員教授や康香寧北京大准教授らによる5講演を実施する。
従来のゲート電極に付加する金属フィールドプレートをp型GaN薄膜に置き換えることで、高電圧下でチャネル抵抗が増加する電流コラプス現象を抑制した。... ゲート電極部に従来の金属プレートの代わりにp型G...
【市村産業賞功績賞】 ▽大型高均一GaN基板の量産技術開発(日立電線)▽造影剤を用いずに血管を良好に描出できるMRI装置(東芝メディカルシステムズ)&...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など省エネ効果が高い次世代の半導体で、垂直統合モデルを目指す企業が現れはじめた。... GaNはSiCに比べ基板上の膜を薄く...
