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記事検索結果
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次世代の省エネルギー型半導体として期待される窒化ガリウム(GaN)半導体の実用化を、民間企業13社や公的研究機関と共同で研究する。... 名古屋工大が持つシリコン基板上にGaNを結晶成...
窒素ガリウム(GaN)系発光ダイオード(LED)、多結晶シリコン系太陽電池の製造工程にも用いる高純度アンモニアの10年の世界需要は07年比約1・6倍の約8000トン。
ルネサスエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)を使ったケーブルテレビ用アンプのサンプル出荷を始めた。シリコン基板上にGaNを作り込むのが特徴で、炭化ケイ素(SiC)...
同社は、すでに、窒化ガリウム(GaN)を使った半導体を13年に量産する意向を示している。... 次世代半導体で、GaN、SiCの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をGaN、低...
窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)の加工技術やデバイスについて、鈴木彰立命館大学客員教授や康香寧北京大准教授らによる5講演を実施する。
従来のゲート電極に付加する金属フィールドプレートをp型GaN薄膜に置き換えることで、高電圧下でチャネル抵抗が増加する電流コラプス現象を抑制した。... ゲート電極部に従来の金属プレートの代わりにp型G...
【市村産業賞功績賞】 ▽大型高均一GaN基板の量産技術開発(日立電線)▽造影剤を用いずに血管を良好に描出できるMRI装置(東芝メディカルシステムズ)&...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など省エネ効果が高い次世代の半導体で、垂直統合モデルを目指す企業が現れはじめた。... GaNはSiCに比べ基板上の膜を薄く...
日本エクシード(茨城県常総市、橋本秀夫社長、0297・27・1531)は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの硬い半導体材料を研磨するため...
独自開発した窒化ガリウム(GaN)パワー半導体に期待する。 GaNは主流のシリコンに比べて耐電圧が高いなど高機能で、電気機器の低省電力化に役立つが、価格が高いことが課題。
従来、絶縁性基板で製造したGaNトランジスタに比べ、シリコン基板で製造したものは耐圧性で劣っていた。... 次世代パワー半導体として有望なGaN半導体では、シリコン基板上にGaN結晶を成長させるのがも...
ソイテックが持つ独自の加工技術を用いて、GaN基板に極薄の膜転写を繰り返すことで1枚の基板から複数枚の薄膜GaN基板を製造することを目指す。... 1枚の基板から複数枚を製造できればGaN基板の飛躍的...
高品質GaN結晶をサファイア基板上に形成(写真)し、シリコンパワーダイオードに比べて電力機器の電力損失を半減でき、600Vの耐圧性も確保した。高価なGaN基板を使うよりも低コスト化でき...
一般に非極性・半極性のGaN基板は、極性面のGaN結晶を縦または斜めに切り出して製造しており、小さな長方形状基板しか作れなかった。... 半極性GaN基板は主に純緑色半導体レーザー向けとされる。......
住友電気工業は直径6インチの窒化ガリウム(GaN)基板(写真)を開発した。... GaN基板は白色LED(発光ダイオード)の高出力化を実現する材料だが普...
また、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など消費電力を抑えた化合物半導体パワーデバイスが注目されているが、駆動時の発熱・高温化への対策が課題だ。
ルネサスエレクトロニクスは7日、2010年度中に窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体を市場投入すると発表した。シリコンなど既存の材料に比べ、高出力、高温での動作可能なGaNデバイスの...
サファイア基板は窒化ガリウム(GaN)ウエハー発光素子の主要基板となるため、同機器へのニーズが高まると判断した。... GaNの発光部はサファイアウエハーに成膜加工やパターニングを施す...
シリコンに替わる次世代の半導体素材として注目を集める窒化ガリウム(GaN)。... 【低コスト実現】 GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)...
