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記事検索結果
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材料に窒化ガリウム(GaN)を使い、室温で波長531ナノメートル(ナノは10億分の1)のパルス発振に成功、連続発振でも同520ナノメートルを達成した。GaNの結晶面を工...
材料面では発光効率の良いm面―GaN(窒化ガリウム)基板を有しているし、蛍光体のシェアは赤色で90%、緑色で40%。
【欠陥減少に尽力】 GaN基板は結晶材料のサファイアの上にGaNを成長させてつくる。... だが、今度はGaN基板の欠陥が増えてしまうという新たな問題に直面する。 欠陥の数はGaN基板...
英国ケンブリッジ大学(ケンブリッジ市)のケンブリッジ窒化ガリウム(GaN)センターは、電気料金を大幅に節約するGaN発光ダイオード(LED)による節電ラ...
古河機械金属は09年度中に窒化ガリウム(GaN)基板の2インチ品を量産する。... GaN基板では品質面で少ない欠陥が求められる。... また、資本・業務提携したパウデック(横...
また現在主流のサファイア基板より、質の良い青色を出せる窒化ガリウム(GaN)基板を使った化合物半導体を開発中。製造方法が難しいGaN結晶だが、液相成長法という独自技術を編み出し、量産プ...
三菱化学は米クリー社(ノースカロライナ州)から白色発光ダイオード(LED)の部材となる窒化ガリウム(GaN)基板の製法・加工特許の独占的実施権を取得した...
サンケン電気が窒化ガリウム(GaN)を用いたパワーデバイスの開発を推進している。... サンケン電気の特徴はGaNを成長させる基板にシリコンを選択したこと。 シリコン基板上にG...
パナソニックは16日、窒化ガリウム(GaN)を用いて高耐圧と低オン抵抗を両立したダイオードを開発した。... オン抵抗52ミリオーム平方センチメートルで従来のGaNダイオードに比べ約2...
【京都】サムコは発光ダイオード(LED)生産用途向けの窒化ガリウム(GaN)ウエハー専用ドライエッチング装置「RIE―330iP」を25日発売する。
そのインバーターに使われる半導体材料のシリコンに代わって、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などを使用した省電力型素子の基盤技術開発を進めている。 S...
松下電器産業は18日、周波数10ギガ―30ギガヘルツ(ギガは10億)の準ミリ波帯無線通信用に、窒化ガリウム(GaN)ICで世界最高の信号増幅率22デシベルを達成したと発...
三菱化学は18日、三菱電線工業とその子会社であるダイヤレッド(東京都千代田区)から、窒化ガリウム(GaN)系LED技術とその関連設備を3月末に約15億円で買い取ると発表...
窒化ガリウム(GaN)半導体を使った超高速の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載したアンプと、携帯電話システムで実績のある信号のひずみ補正技術を組み合わせ、電力効...
住友電気工業はウエハー直径4インチ(100ミリメートル)以上の窒化ガリウム(GaN)基板を製造する技術を確立した。... 今回4インチGaN基板の試作に成功した。......
今後、川下への展開では、窒化ガリウム(GaN)系半導体エピ(積層)基板事業を立ち上げる。... 09年度には小山工場でGaN製造装置を導入し、2010年度に量産体制をつ...
