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記事検索結果
75件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
【バンドギャップ】 ホモ積層ではツイスト角が大きくなるとバンドギャップが大きくなる一方で、ヘテロ積層では逆にバンドギャップが小さくなるという結果を得た(グラフ参照)。...
実はダイヤモンドは、シリコンに比べてバンドギャップが広く、素子の低損失・高温・高耐圧・高速動作や小型化を可能とするワイドギャップ半導体として非常に優れた性質を持っている。 すでにワイ...
耐熱性の高い単純構造の分子を連結し、電子の存在できないエネルギー帯のバンドギャップを従来のGNRの2電子ボルトから0・6電子ボルトへ大幅に縮小した。... 同GNRはバンドギャップをシリコン半導体より...
炭化ケイ素(SiC)を材料としたワイドバンドギャップ半導体の採用や、高周波スイッチング技術により小型化と高効率化を実現した。
この物質は、シリコンより大きいバンドギャップ、高い光吸収係数を持つことから、シリコンと比べて薄く、かつ高い変換効率を持つ太陽電池を作製できると期待されている。
マイクロ波照射時の不活性ガスと酸素の混合体積比を変えると、酸化物表面の欠陥濃度の制御や可視光全域での高吸収性、狭いバンドギャップができる。
GaNはエネルギーを吸収するバンドギャップがシリコンより広く、宇宙線が当たってもノイズが流れる確率が減る。
その電流を遮断すると、半導体のバンドギャップに相当するよりもはるかに大きな電圧が発生する。 ... よく知られた強誘電体はチタン酸バリウムなどの酸化物であるが、シフトカレントは観測さ...
そのため、軟X線に対する高エネルギー分解能、高P/B比のEDXが求められていたが、エネルギー分解能は、検出器の材料のバンドギャップで決まるため、半導体を使う限り分解能の向上は極めて困難であっ...
鉄シリサイド半導体のバンド端吸収や銀膜が高温で安定するように設計を最適化した。... 650度Cの高温で最適なバンドギャップを持つ鉄シリサイド半導体で太陽光を選択的に高効率で吸収するとともに、赤外光反...
その半導体材料としての魅力は、非常に大きなバンドギャップに集約される。 バンドギャップは、個々の半導体の特性を決める最も基本的な材料特性であり、一般的にその値が大きい材料ほどハイパワ...
高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコンや炭化ケイ素(SiC)に代わる低損失の次世代パワー半導体材料として期待されているという。
1万1025個の化合物を量子計算して結晶構造とエネルギー状態、バンドギャップなどのデータを集めた。
この偏光特性が、グラフェンのバンドギャップ(電子が存在できない領域)を持たないディラック電子状態に起因することも示した。
黒リンは炭素物質のグラフェンよりバンドギャップ(電子が存在しない領域)が大きく、トランジスタの材料として有望。... トランジスタの性能指標である移動度を低下させず、バンドギャップを大...
研究では二硫化モリブデンに、走査型電子顕微鏡で電子線を10秒程度照射すると、結晶が縮み、バンドギャップが増加することを確認した。バンドギャップは材料に固有な値で、一般にこれを変えるには化合物の組成を変...
千葉工業大学工学部の菅洋志助教は、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の内藤泰久主任研究員、物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究者と共同で、白金のナノギャッ...
搭載する高分子薄膜式温湿センサーは、バンドギャップ式の温度センサーと、薄膜シリコンの湿度センサーで構成。
この中から窒化カルシウム亜鉛(CaZn2N2)が1・8電子ボルトの発光エネルギー(バンドギャップ)を持つことを見いだした。
