デンソー、酸化ガリウム製パワー半導体 ＶＢと共同研究

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【名古屋】デンソーは４日、京都大学発ベンチャーのＦＬＯＳＦＩＡ（フロスフィア、京都市西京区）と酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）製パワー半導体を車載に応用する共同研究を始めたと発表した。フロスフィアが手がける次世代のコランダム構造Ｇａ２Ｏ３製パワー半導体を、２０２５年以降をめどに電動車のインバーターなどに搭載する。デンソーはフロスフィアに出資も実施した。

コランダム構造Ｇａ２Ｏ３は、京都大の藤田静雄教授が世界で初めて単結晶合成に成功した。

高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコンや炭化ケイ素（ＳｉＣ）に代わる低損失の次世代パワー半導体材料として期待されているという。

デンソーは三菱重工業などとフロスフィアの第三者割当増資を引き受け、５者で８億円を出資した。デンソーはＳｉＣ製パワー半導体については２０年頃に量産する計画を公表している。