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記事検索結果
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量子ドットレーザーは荒川泰彦東大教授らが提案した3次元ナノ構造の量子ドットを活性層に用いた半導体レーザーで、低閾(しきい)値電流、小さな温度依存性、高温動作など多くのユニークな特徴があ...
従来の半導体レーザーに代わり、量子ドットレーザーを光源に使うことで、LSIの使用環境が要求する125度Cまでの高温動作を実証。... 高温動作に優れる量子ドットレーザーを搭載することにより、室温の25...
半導体素子の素材を従来のシリコンから低抵抗で高温動作可能のSiCにすることで、ブレーキ時に発生する回生電力量を30%程度増大。
今回、活性層の材料を従来のインジウム・ガリウム・ヒ素・リンから、高温特性に優れるインジウム・ガリウム・アルミニウム・ヒ素に変え、95度Cまでの高温動作に耐えられるようにした。
ただ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体に交換することにより、電力損失を抑制しつつ、従来品以上に高温動作が可能になる。
炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを使うことで、低導通抵抗の動作を実現。... 高温動作、高速スイッチング、低導通抵抗を実現したモジュールを使うことで、冷却器、主回路受動部品の小型化、...
原料の金属は安価で、従来の高温ハンダと同程度のコストでできると見られる。炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体デバイスへの応用が見込め、航空機のエンジンや発電所など高温動作が不...
搭載するSiC製パワー半導体の特性を従来よりも生かせる構造に設計を変え、電圧600ボルト、電流1000アンぺアで動作確認した。... 250度Cの高温動作も特徴。
QDレーザ(川崎市川崎区)と富士通研究所(川崎市中原区)、東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構は共同で、ナノメートル(ナノは10億分の1)寸法の...
これまでは結晶欠陥や高温プロセスによる特性のバラつきなどSiC特有の課題があった。... SiCは高周波特性や高温動作も特徴で、システム全体の小型化にも役立つ。
単結晶の大口径化につながる基礎技術で、炭化ケイ素(SiC)より高温動作が可能な窒化ガリウムデバイスの実現に寄与する。従来より高温高圧に耐えるオートクレーブ(結晶育成装置)...
SBDではショットキー障壁を均一にしたり、素子周囲に設ける高抵抗なガードリング層を高温処理なく形成するなどして量産化にこぎ着けた。... SiC製パワー半導体はシリコン製に比べ高効率、高周波特性、高温...
強磁性絶縁体を高温超電導体で挟んだ構造の接合素子で、強磁体層の厚さを変えると、量子状態が現れることをシミュレーションで確認した。この現象を応用すれば、外部からのノイズの影響を受けずに、高温動作する量子...
SiCエピタキシャルウエハーは現在、パワー半導体に使われているシリコン半導体よりも高温動作や高電圧・高電流に耐えられる性質を持つ。
