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記事検索結果
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開発した燃料を分析すると、500度C以下では直鎖の炭化水素化合物、800度C付近では芳香族系の炭化水素化合物をそれぞれ検出できた。
ペルー政府は5月の同国の鉱業および炭化水素部門(石油・ガス・石炭のエネルギー部門)の活動が前年比45・79%減と、3カ月連続で減少したと公表した。
N700Sの進化を後押ししたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体やリチウムイオン二次電池などの技術は日進月歩だ。
ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
900度Cにも耐える高耐熱性や高耐久性を持つため、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体向けにも利用できる。
【名古屋】名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授らは、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)において、結晶表面で電子と正孔が結合してエネルギー損失となる現象(表面再結合...
【国を守る黒子】 次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体搭載のインバーター装置が、19年に運行を始めた東京メトロ・丸ノ内線の新型車両に採用された。
有機物に富む石炭は、地下深部への埋没過程で熱熟成(熱分解)を起こし、多量の炭化水素(石油・天然ガスの主成分)を排出する石油根源岩になる。 ... もし...
住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...
現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。
