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記事検索結果
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900度Cにも耐える高耐熱性や高耐久性を持つため、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体向けにも利用できる。
【名古屋】名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授らは、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)において、結晶表面で電子と正孔が結合してエネルギー損失となる現象(表面再結合...
【国を守る黒子】 次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体搭載のインバーター装置が、19年に運行を始めた東京メトロ・丸ノ内線の新型車両に採用された。
有機物に富む石炭は、地下深部への埋没過程で熱熟成(熱分解)を起こし、多量の炭化水素(石油・天然ガスの主成分)を排出する石油根源岩になる。 ... もし...
住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...
現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。
産業技術総合研究所(産総研)では、Siパワエレを超える性能を目指して、新材料であるワイドギャップ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)に注目し、ウエハーからモジュールまでの各...
産総研は東京大学、ローザンヌ大学と共同で、年老いた働きアリではオキシトシン様ホルモンが多く発現して体表面の炭化水素の合成を促し野外環境でアリが長時間活動するための乾燥環境への耐性に関わることを見いだし...
【京都】ロームの炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスが、中国車載部品大手ユナイテッド・オートモーティブ・エレクトロニック・システムズ(UAES、上海市)の電気自動車用充電...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスと駆動ICを、ウェブ上の仮想回路で一括検証できる電子回路設計者向けシミュレーションツール「ロームソリューションシミュレーター=...
次世代のSiC(炭化ケイ素)製品が脚光を浴びるが、5年もすればコモディティー化する。
炭化ケイ素(SiC)を材料としたワイドバンドギャップ半導体の採用や、高周波スイッチング技術により小型化と高効率化を実現した。
アドマップは独自技術を持つ化学気相成長(CVD)―炭化ケイ素(SiC)の開発から販売まで手がけていた。
大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。
