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記事検索結果
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今後は、大学などと連携して開発した炭化ケイ素(SiC)半導体パワーモジュールを、製品に搭載することも計画中だ」 ―NECST事業の戦略をどう描きますか。 &#...
次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体では大口径化を進め、生産能力を同5倍に高める。... SiCパワー半導体は姫路半導体工場で、生産ラインのウエハーサイズを従来の4インチ(...
エピタキシャル装置は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)の次世代半導体ウエハーに対応した製品を拡販する。
耐熱温度は270度Cで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の動作上限温度とされる250度Cを上回る。
また、開発中のSiC(炭化ケイ素)製パワー半導体について有馬社長は「20年頃にはSiCパワー素子を組み込んだインバーターの量産を開始する」と説明。デンソーは、エネルギー損失を低減するS...
相模原市とさがみはら産業創造センター(SIC)は30日15時からサン・エールさがみはら(相模原市緑区)で「産業用ロボットビジネスフォーラム」を開く。... 問い合わせは...
「シリコンウエハーの搬送治具などに加工する炭化ケイ素(SiC)、露光装置のレンズ材などに使用する合成石英、シリコンウエハーの化学機械研磨(CMP)に使うセリア系スラリー...
今後は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体により出力密度をさらに高めたインバーター搭載の次世代品の開発も進める。
半導体など関連装置事業はセラミックス製品、石英製品、CVD(化学気相成長)―SiC製品などのマテリアル製品を取り扱っており、前工程・後工程のウエハープロセスに使用される。
従来のSiC基板と比べて2分の1の低コスト化を目指し、今後3年程度かけて量産検証を進める。量産開始後は加賀電子や住友鉱の販路を活用し、電気自動車(EV)などの車載用途向けを中心に低価格...
電力制御用半導体素子「シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス」の先駆的研究と実用化への貢献を評価した。... SiCパワーデバイスは高速で高効率な電力制御を実現し、電気自動車...
■アクセスランキング・ベスト10(9/18~9/24) 1位 ノーベル賞の発表迫る-日本人受賞者、4年連続誕生なるか&#...
三菱電機は従来の炭化ケイ素(SiC)半導体に比べ、電力損失を20%以上低減できるSiCパワー半導体を開発した。... 同じ時間であれば、今回のSiC素子ではオン抵抗を約40&#...
SiC基板に絶縁膜を積む際、前処理を施した上で、無害で取り扱いが容易な窒素ガスを使って熱処理した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次世代SiCパワー半導体の新手法になる可能性がある。...
昭和電工は14日、秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体用の高品質な炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの生産能力を現状比66・7%増の月5000枚に増...
導入に当たっては炭化ケイ素(SiC)製の電熱線本体が壊れにくいよう固定方法を改良したり、耐火物から発生する水蒸気を抜けやすくする機構を開発するなど、マツダと一緒になって改善に当たった。
公開内容はAI、SiC(炭化ケイ素)ウエハー、生体情報センシングに関するもので、2020年までの事業化を見込む。... SiCウエハーは昇華法で高品質の単結晶成長を実現する技術などを披...
今後、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのパワー半導体素子は電気自動車(EV)、鉄道をはじめ省エネルギー用途での活用が期待されている。
